[发明专利]一种简易倒装LED及其制作方法

权利要求书

1.一种简易倒装LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：

提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次生长N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；

刻蚀所述P型GaN层、多量子阱层及N型GaN层，形成暴露所述N型GaN层的第一通孔；

在所述P型GaN层表面形成反射金属；

在所述第一通孔底部的N型GaN层表面形成N金属层，同时在所述反射金属表面形成阻挡层；

形成隔离层，刻蚀所述隔离层形成暴露所述N金属层的第二通孔、同时形成暴露所述阻挡层的第三通孔；

淀积电极层，在隔离层表面及第二通孔中形成N电极，在隔离层表面及第三通孔中形成P电极。

2.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底。

3.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型GaN层、多量子阱层及N型GaN层，形成暴露所述N型GaN层的第一通孔。

4.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：采用蒸镀和负胶剥离技术在所述P型GaN层表面形成反射金属。

5.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：所述反射金属的材质采用Ni/Ag/Ti/Pt/Au、Ni/Al/Ti/Pt/Au、Ni/Ag/Ni/Au或Ni/Al/Ti/Au的一种或多种的组合，厚度范围为100～5000埃。

6.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：采用蒸镀和负胶剥离工艺同时形成所述N金属层和阻挡层。

7.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：所述N金属层和阻挡层的材质均采用Cr/Al/Cr/Pt/Au、Cr/Al/Ti/Pt/Au或Ni/Al/Cr/Pt/Au的一种或多种的组合，厚度范围均为10000～20000埃。

8.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：所述隔离层的材质采用SiO₂或Si₃N₄或DBR，厚度范围为5000～20000埃。

9.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：所述N电极和P电极的材质采用Cr/Al/Cr/Pt/Au/Sn、Cr/Al/Ti/Pt/Au/Sn或Ni/Al/Cr/Pt/Au/Sn的一种或多种的组合，厚度为范围为10000～20000埃。

10.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：所述N电极和P电极之间保持预设距离，所述预设距离大于等于150μm。

11.根据权利要求1所述的简易倒装LED的制作方法，其特征在于：所述第一通孔包括圆孔和条形孔，所述第二通孔制作于所述圆孔中。

12.一种采用如权利要求1～11任一项所述的制作方法形成的倒装LED，其特征在于，所述倒装LED包括：

衬底；

N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，自下而上依次生长在所述衬底表面；

第一通孔，形成于所述N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层中，暴露所述N型GaN层；

反射金属，结合于所述P型GaN层表面；

N金属层，形成于所述第一通孔底部的N型GaN层表面；

阻挡层，形成于所述反射金属表面；

隔离层，形成于整个器件表面；

第二通孔和第三通孔，均形成于所述隔离层中，所述第二通孔暴露所述N金属层，所述第三通孔暴露所述阻挡层；

N电极，形成于所述隔离层表面及第二通孔中；

P电极，形成于所述隔离层表面及第三通孔中。