[发明专利]激光加工槽的检测方法有效
申请号: | 201510082171.8 | 申请日: | 2015-02-15 |
公开(公告)号: | CN104842075B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 法积大吾;大久保广成 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;B23K26/364;B23K26/402;B23K26/064;B23K26/03 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 检测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及激光加工槽的检测方法。
背景技术
在对通过Low-k膜(低介电常数膜)形成器件的晶片进行的分割中,已知下述这样的加工方法:为了应对Low-k膜的脆弱性和剥离性,通过基于照射激光光线而实现的烧蚀加工,在分割预定线的两侧形成2条对Low-k膜进行分割的加工槽,然后,利用切削刀具对加工槽之间进行分割(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2005-64231号公报
在前述的专利文献1所示的加工方法中,为了防止沿着加工槽进行切削的切削刀具的偏磨损,多数情况是使在两侧形成有2条的加工槽的外缘之间的间隔形成为超过切削刀具的宽度的间隔。在前述的专利文献1所示的加工方法中,首先,利用能量密度高的小光斑的激光光线在分割预定线的两侧形成2条加工槽,然后,以将加工槽之间填埋的方式通过切削刀具形成粗槽。可是,在该加工方法中,即使从上方观察也无法判別覆盖着细槽的粗槽的边缘,因此,在加工中无法发挥进行粗槽的切口检查(位置偏移修正)的功能,特别是,粗槽的位置偏移可能会对器件产生影响。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种能够抑制粗槽的位置偏移对器件的影响的激光加工槽的检测方法。
为了解决上述技术问题并实现目的,本发明的激光加工槽的检测方法是在晶片的加工方法中为了将第1槽和第2槽定位于规定的位置而检测该第1槽和该第2槽的位置的检测方法,在所述晶片的加工方法中,使用激光加工装置向晶片照射第1激光光线,至少在分割预定线的两侧形成第1槽,然后利用第2激光光线形成槽的边缘部与该第1槽重叠的第2槽,所述晶片具备:器件区域,在该器件区域中,利用层叠在晶片的正面的层叠体在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有器件;和外周剩余区域,该外周剩余区域围绕该器件区域,所述激光加工装置包括:卡盘工作台,其保持晶片;激光光线照射构件,其对保持在该卡盘工作台上的晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线,在晶片的正面形成激光加工槽;和摄像构件,其对晶片的正面进行摄像,该激光光线照射构件具备:激光振荡器;1/2波长板,从该激光振荡器振荡出的激光光线入射至该1/2波长板;分支构件,其将通过该1/2波长板后的激光光线分支为第1激光光线和第2激光光线;光束调整构件,其调整该第2激光光线的光束直径;和聚光透镜,其使该第1激光光线和通过该光束调整构件后的该第2激光光线会聚,该激光光线照射构件通过该1/2波长板选择性地照射该第1激光光线和该第2激光光线,所述激光加工槽的检测方法的特征在于,在检测该第1槽的位置时,通过第1激光光线在该分割预定线处形成该第1槽,在形成该第2槽之前,利用该摄像构件对该第1槽进行摄像,检测出该第1槽的位置,在检测该第2槽的位置时,通过该第2激光光线在晶片的没有形成该第1槽的该外周剩余区域的分割预定线处形成该第2槽,并利用该摄像构件对该第2槽进行摄像,检测出该第2槽的位置,将该第1槽和该第2槽定位于规定的位置。
另外,在所述激光加工槽的检测方法中,优选的是,所述激光加工装置的所述聚光透镜由使所述第1激光光线会聚的第1聚光透镜和使所述第2激光光线会聚的第2聚光透镜构成。
因此,在本申请发明的激光加工槽的检测方法中,通过特别地在晶片的没有形成器件的外周剩余区域中形成第2槽,从而能够进行作为粗槽的第2槽的切口检查。由于在外周剩余区域中没有形成器件,因此,即使发生了第2槽的位置偏移,也能够尽可能抑制第2槽的位置偏移对器件产生的影响。另外,由于在外周剩余区域中形成第2槽,因此无需遍及分割预定线的全长形成第2槽,由此能够抑制为了实施切口检查而形成的第2槽的全长。因此,能够减少切口检查所花费的时间。
附图说明
图1是示出实施实施方式的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的结构例的立体图。
图2是示出图1所示的激光加工装置的摄像构件的图像的图。
图3是示出图1所示的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。
图4是示出作为图1所示的激光加工装置的加工对象的晶片等的立体图。
图5是示出包括实施方式的激光加工槽的检测方法在内的、使用了激光加工装置的晶片的加工方法的流程图。
图6是示出实施方式的激光加工槽的检测方法的第1切口检查步骤的概要的图,图6的(a)是在分割预定线的两侧形成有第1槽的状态的晶片的剖视图,图6的(b)是示出拍摄图6的(a)所示的第1槽等所得到的图像的图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造