[发明专利]分析装置及电子设备在审
申请号: | 201510082573.8 | 申请日: | 2015-02-15 |
公开(公告)号: | CN104849255A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 杉本守;江成芽久美 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 分析 装置 电子设备 | ||
1.一种分析装置,其特征在于,具备:
电场增强元件,包括:金属层、设置于所述金属层上并使激发 光透过的透光层、及设置于所述透光层上并沿第一方向和与所述第 一方向交叉的第二方向排列的多个金属粒子;
光源,将沿所述第一方向偏振的直线偏振光、沿所述第二方向 偏振的直线偏振光以及圆偏振光中的至少一个作为所述激发光而照 射至所述电场增强元件;以及
检测器,检测从所述电场增强元件发射的光,
在所述金属粒子上激发的局域型表面等离子体和在所述金属 层与所述透光层的界面上激发的传播型表面等离子体电磁地相互作 用,
将所述透光层的厚度设为G、将所述透光层的有效折射率设为 neff、将所述激发光的波长设为λi时,其中,所述G和所述λi的单位 为nm,下述式(1)的关系被满足:
20[nm]<G·(neff/1.46)≤140[nm]·(λi/785[nm])···(1)。
2.一种分析装置,其特征在于,具备:
电场增强元件,包括:金属层、设置于所述金属层上并使激发 光透过的透光层、及设置于所述透光层上并沿第一方向和与所述第 一方向交叉的第二方向排列的多个金属粒子;
光源,将沿所述第一方向偏振的直线偏振光、沿所述第二方向 偏振的直线偏振光以及圆偏振光中的至少一个作为所述激发光而照 射至所述电场增强元件;以及
检测器,检测从所述电场增强元件发射的光,
在所述金属粒子上激发的局域型表面等离子体和在所述金属 层与所述透光层的界面上激发的传播型表面等离子体电磁地相互作 用,
所述透光层由通过m层的层层叠而成的层叠体构成,
m是自然数,
所述透光层从所述金属粒子侧向所述金属层侧按照第一透光 层、第二透光层、…、第m-1透光层、第m透光层的顺序层叠,
将所述金属粒子的周边的折射率设为n0、将所述金属层的法线 方向与所述激发光的入射方向所成的角设为θ0、将所述金属层的法 线方向与所述第m透光层中的所述激发光的折射光朝向所述金属层 的入射方向所成的角设为θm、将所述第m透光层的折射率设为nm、 将所述第m透光层的厚度设为Gm、将所述激发光的波长设为λi时, 其中,所述G和所述λi的单位为nm,下述式(2)以及式(3)的 关系被满足:
n0·sinθ0=nm·sinθm···(2)
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510082573.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。