[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具备：

第1半导体区域；

第1导电类型的多个第2半导体区域，选择性地设置在所述第1半导体区域上；

第2导电类型的多个第3半导体区域，选择性地设置在所述第1半导体区域上，分别与各所述第2半导体区域邻接；

分离区域，设置在所述第1半导体区域内，位于相邻的所述第2半导体区域之间以及相邻的所述第3半导体区域之间；

第1电极，连接与所述分离区域相邻的所述第2半导体区域和所述第3半导体区域；

第2电极，连接于所述第2半导体区域；以及

第3电极，连接于所述第3半导体区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还具备第4半导体区域，该第4半导体区域具有与所述第1半导体区域不同的导电类型，

所述第1半导体区域设置在所述第4半导体区域上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

所述分离区域到达至所述第4半导体区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述分离区域包括：

绝缘层，至少一部分与所述第1半导体区域相接；以及

导电层，经由所述绝缘层，至少一部分设置在所述第1半导体区域内，并连接于所述第1电极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述分离区域是与所述第1半导体区域不同的导电类型的半导体区域。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述分离区域被设置成包围所述多个第2半导体区域以及所述多个第3半导体区域。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

还具备第1导电类型的第5半导体区域，

所述第1半导体区域是第1导电类型，

所述第4半导体区域是第2导电类型，

所述第4半导体区域设置在所述第5半导体区域上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1电极、所述第2半导体区域以及所述第3半导体区域向第1方向延伸，

所述第2半导体区域与所述第3半导体区域在相对于所述第1方向正交的第2方向上邻接，

在所述第2方向上设置了多个所述多个第2半导体区域以及所述多个第3半导体区域。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具备：

第1端子，连接于所述第2电极；

第2端子，连接于所述第3电极；以及

密封部件，密封所述多个第2半导体区域、所述多个第3半导体区域以及所述第1电极。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

还具备第3端子，该第3端子连接于所述第1电极。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还具备：

第2导电类型的第6半导体区域；

第1导电类型的第7半导体区域，形成在所述第6半导体区域上；

第4电极，连接于所述第6半导体区域；以及

第5电极，连接于所述第7半导体区域，

所述第2电极连接于所述第5电极。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，

还具备第2导电类型的第8半导体区域，

所述第6半导体区域设置在所述第7半导体区域和所述第8半导体区域之间，

所述第8半导体区域的所述第2导电类型的载流子密度高于所述第6半导体区域的第2导电类型的载流子密度。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还具备：

第1端子，连接于所述第3电极；

第2端子，连接于所述第4电极；以及

密封部件，密封所述多个第2半导体区域、所述多个第3半导体区域、所述第1电极、所述第2电极、所述第3电极、所述第4电极以及所述第5电极。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，

还具备第3端子，该第3端子连接于所述第1电极。