[发明专利]通用处理衬底的载体在审
申请号: | 201510083427.7 | 申请日: | 2015-02-12 |
公开(公告)号: | CN104851828A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | H·J·C·托克;A·Q·杨;S·韦伯斯特 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通用 处理 衬底 载体 | ||
1.一种用于处理衬底的载体装置,包括:
第一载体板,所述第一载体板具有第一多个腔,所述第一多个 腔中的每个腔的尺寸被设计为接收衬底的第一侧;
第二载体板,所述第二载体板具有第二多个腔,所述第二多个 腔中的每个腔的尺寸被设计为当所述第一载体板与所述第二载体板 彼此接触地放置时接收所述衬底的第二侧;以及
磁体组件,所述磁体组件被配置为将所述第一载体板和所述第 二载体板保持在一起,使得所述衬底被保持在所述第一载体板和所 述第二载体板之间的位置,所述磁体组件具有定位在沿所述第一载 体板或所述第二载体板的一侧形成的凹口内的至少一个磁体。
2.根据权利要求1所述的装置,其中仅所述第一载体板包括所述磁体 组件,并且所述第二载体板由被所述磁体组件中的所述至少一个磁 体吸引的金属材料制成。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述衬底为微电子器件衬底。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一多个腔和所述第二多个 腔具有倒角拐角。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一多个腔和所述第二多个 腔中的每一者形成开口,使得所述衬底的所述第一侧和所述第二侧
均通过所述开口被暴露。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一载体板的占有面积与所 述第二载体板的占有面积基本上相同。
7.根据权利要求1所述的装置,还包括:
释放磁体组件,所述释放磁体组件被配置为将所述第一载体板 从所述第二载体板释放。
8.一种微电子器件衬底处理装置,包括:
顶部载体板,所述顶部载体板具有尺寸被设计为接收微电子器 件衬底的第一多个开口以及在其中定位有磁体的多个凹口;以及
底部载体板,所述底部载体板具有尺寸被设计为接收微电子器 件衬底的第二多个开口,其中所述底部载体板包括被所述磁体吸引 的材料,使得当所述顶部载体板被放置在所述底部载体板上时,所 述磁体将所述顶部载体板固定至所述底部载体板。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述凹口内的所述磁体的磁极中 的每个磁极的取向相同。
10.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一多个开口和所述第二多 个开口中的每一者在其相应的顶部载体板和底部载体板内是不可分 开的。
11.根据权利要求8所述的装置,其中所述顶部载体板和所述底部载体 板中的每一者为单个一体成型板。
12.根据权利要求8所述的装置,还包括:
释放磁体组件,所述释放磁体组件包括至少一个释放磁体,所 述至少一个释放磁体与所述顶部载体板的所述磁体具有相同的极 性,使得当所述顶部载体板被放置在所述底部载体板上时,将所述 释放磁体组件定位在所述顶部载体板附近使所述顶部载体板从所述 底部载体板释放。
13.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一多个开口和所述第二多 个开口中的每一者具有倒角拐角,所述倒角拐角与定位在其中的微 电子器件衬底的拐角重叠。
14.根据权利要求8所述的装置,其中所述第一多个开口的图案基本上 类似于所述第二多个开口的图案,使得当所述顶部载体板被放置在 所述底部载体板上时,所述第一多个开口与所述第二多个开口对 准。
15.根据权利要求8所述的装置,其中所述底部载体板的所述材料为铁 磁材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造