[发明专利]输出电路及光耦合装置在审
申请号: | 201510083611.1 | 申请日: | 2015-02-16 |
公开(公告)号: | CN105450212A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 常次幸男 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H03K19/14 | 分类号: | H03K19/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 电路 耦合 装置 | ||
1.一种输出电路,具备:
输出部,包括设在电源电位与输出端子之间且在栅漏极间连接有第一电容元件的第一导电型的第一晶体管,和设在上述输出端子与基准电位之间且在栅漏极间连接有第二电容元件的第二导电型的第二晶体管;
第一驱动电路,根据上述第二晶体管的栅极电压检测上述第二晶体管截止的情况,并驱动上述第一晶体管;
第二驱动电路,根据上述第一晶体管的栅极电压检测上述第一晶体管截止的情况,并驱动上述第二晶体管。
2.如权利要求1所述的输出电路,
上述第二驱动电路基于上述第一晶体管的栅极电压与上述输入信号之间的逻辑运算值驱动上述第二晶体管;
上述第一驱动电路基于上述第二晶体管的栅极电压与上述输入信号之间的逻辑运算值驱动上述第一晶体管。
3.如权利要求1或2所述的输出电路,
上述输出信号的后沿的转换速率是基于从上述第一驱动电路对上述第一电容元件充电的第一充电电流而设定的;
上述输出信号的前沿的转换速率是基于从上述第二驱动电路对上述第二电容元件充电的第二充电电流而设定的。
4.如权利要求3所述的输出电路,
上述第一充电电流是根据上述第一驱动电路的输出电阻而设定的;
上述第二充电电流是根据上述第二驱动电路的输出电阻而设定的。
5.如权利要求4所述的输出电路,
上述第一及第二驱动电路的输出段都是CMOS输出的逆变器;
上述第一及第二驱动电路的输出电阻是各自的上述CMOS逆变器的第二导电型的晶体管的导通电阻。
6.如权利要求5所述的输出电路,
上述第一及第二驱动电路的输出电阻是:各自的上述CMOS逆变器的第二导电型的晶体管的导通电阻和连接在上述第二导电型的晶体管与各自的上述CMOS逆变器的输出之间的电阻值之和。
7.如权利要求4~6中任一项所述的输出电路,
上述第一驱动电路的输出电阻的电阻值在上述第一晶体管导通的情况下比上述第一晶体管关断的情况下大;
上述第二驱动电路的输出电阻的电阻值在上述第二晶体管导通的情况下比上述第二晶体管关断的情况下大。
8.如权利要求1、2、4~6中任一项所述的输出电路,
还具备延迟部,上述延迟部生成使上述输入信号延迟规定的时间的延迟信号;
上述第二驱动电路基于上述延迟信号、上述第一晶体管的栅极电压及上述输入信号的逻辑运算值驱动上述第一晶体管。
9.如权利要求1、2、4~6中任一项所述的输出电路,
还具备延迟部,上述延迟部生成使上述输入信号延迟规定的时间的延迟信号;
上述第一驱动电路基于上述延迟信号、上述第二晶体管的栅极电压及上述输入信号的逻辑运算值驱动上述第二晶体管。
10.如权利要求1、2、4~6中任一项所述的输出电路,
还具备低电压保护部,在上述基准电位与上述电源电位的电压差比规定的电压差低的情况下,上述低电压保护部使上述输出信号的输出停止。
11.一种光耦合装置,具备:
发光元件;以及
输出电路,具有光接收电路、CMOS结构的输出部、第一驱动电路和第二驱动电路,所述光接收电路具有将从上述发光元件放出的光受光并将受光的光信号变换为电流信号的受光元件、和将上述电流信号变换为电压信号的互阻抗放大器,所述输出部包括设在电源电位与输出端子之间且在栅漏极间连接有第一电容元件的第一导电型的第一晶体管、和设在上述输出端子与基准电位之间且在栅漏极间连接有第二电容元件的第二导电型的第二晶体管,所述第一驱动电路根据上述第二晶体管的栅极电压检测上述第二晶体管截止的情况,并驱动上述第一晶体管,所述第二驱动电路根据上述第一晶体管的栅极电压检测上述第一晶体管截止的情况,并驱动上述第二晶体管。
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