[发明专利]光伏材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510083957.1 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104716219B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王婷婷;钟国华;薛艳君;顾光一;程亚;张倩;李晓光;罗海林;杨春雷;肖旭东 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光伏材料的制备方法，其特征在于，所述光伏材料的分子式为Cu(Al1-y,Xy)Se2，其中X为Si，0.1＜y≤0.25，具体包括以下步骤：
采用共蒸镀法分别加热蒸发或者用电子束蒸发铜、铝、硒及X元素的靶材，在衬底的表面沉积制备所述光伏材料，所述光伏材料为类似CuAlSe2的正交晶系黄铜矿型结构，其中X元素替代部分Al原子的晶格位置，所述铜、铝、硒的靶材的加热温度由以下步骤确定：采用共蒸镀法分别同时加热铜、铝、硒的靶材，在衬底表面沉积生成正交晶系黄铜矿型结构的CuAlSe2材料，并且该CuAlSe2材料的摩尔比组成为Cu:Al:Se＝1.0:(0.9～1.1):2.0。
2.根据权利要求1所述的光伏材料的制备方法，其特征在于，所述衬底为镀有钼层的玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的光伏材料的制备方法，其特征在于，在衬底的表面沉积制备所述光伏材料之前先将所述衬底的温度加热至240℃～260℃。
4.根据权利要求2所述的光伏材料的制备方法，其特征在于，在衬底的表面沉积制备所述光伏材料的步骤之前还包括步骤：将所述镀有钼层的玻璃基板加热至500℃，在H2S或者S的氛围中硫化5-20分钟，形成50nm厚的MoS2层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院;香港中文大学，未经深圳先进技术研究院;香港中文大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510083957.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
