[发明专利]一种硅片和金属基座的无应力组合方法及其结构有效
| 申请号： | 201510084322.3 | 申请日： | 2015-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN104729770B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张惠益;周永宏;邹崇;胡淋清 | 申请（专利权）人： | 福建上润精密仪器有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/08;G01L13/00 |
| 代理公司： | 福州市众韬专利代理事务所(普通合伙)35220 | 代理人： | 陈智雄,黄秀婷 |
| 地址： | 350015 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 金属 基座 应力 组合 方法 及其 结构 | ||
1.一种硅片和金属基座的无应力组合方法，其特征在于：其步骤包括，
(1)制备粘合剂；
(2)在金属基座(3)上涂上粘合剂，形成具有厚度的粘合剂层(2)，使MEMS硅片(1)的玻璃基片(12)一面与该粘合剂层(2)接触，并压紧使得接触面接合紧密；
(3)设定好温度、静电场强度和真空度，使得MEMS硅片(1)的玻璃基片(12)和粘合剂层(2)的接触面之间以及粘合剂层(2)和金属基座(3)的接触面之间发生离子扩散迁移及阳极氧化的电化学反应，分别生成玻璃-粘合剂复合氧化物层(4)和粘合剂-金属复合氧化物层(5)，使粘合剂层内部的空气充分排空并固化；
其中，所述粘合剂的成分主要由以下组分组成：环氧树脂5-12份，丁苯橡胶16-25份，有机硅橡胶乳液9-10份，硅酸20-23份，邻苯二甲酸15-22份，乳化剂6-7份，分散剂3-10份。
2.根据权利要求1所述的硅片和金属基座的无应力组合方法，其特征在于：步骤(3)中的温度为60-80℃，静电场强度为220-225KV/m。
3.根据权利要求1所述的硅片和金属基座的无应力组合方法，其特征在于：步骤(3)中的真空度为0.15MPa。
4.根据权利要求1-3任一项所述方法所制备的硅片和金属基座的无应力组合结构，其包括依次连接的MEMS硅片(1)、粘合剂层(2)和金属基座(3)，其中MEMS硅片(1)的玻璃基片(12)和粘合剂层(2)接合，其特征在于：MEMS硅片(1)的玻璃基片(12)与粘合剂层(2)间设有玻璃-粘合剂复合氧化物层(4)，粘合剂层(2)与金属基座(3)间设有粘合剂-金属复合氧化物层(5)。
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