[发明专利]质谱仪一级真空结构

权利要求书

1.一种质谱仪一级真空结构，其特征在于，包括：内有进样腔室的进样锥、安装在所述进样锥后侧且前端伸入所述进样腔室并内有聚焦腔室的聚焦环、安装在所述聚焦环后侧且前端伸入所述聚焦腔室并内有截取腔室的截取锥以及支撑部件，所述进样腔室与所述聚焦腔室以及所述截取腔室依次连通且所述进样锥安装在所述支撑部件前端，所述聚焦环和所述截取锥安装在所述支撑部件内部，所述支撑部件的周边具有对称设置且连通内部腔室的排气出口。

2.根据权利要求1所述的质谱仪一级真空结构，其特征在于，所述排气出口对称安装在所述支撑部件外壁且与所述聚焦腔室连通。

3.根据权利要求1所述的质谱仪一级真空结构，其特征在于，所述排气出口安装在所述聚焦腔室和所述支撑部件结合部位的后侧。

4.根据权利要求1所述的质谱仪一级真空结构，其特征在于，所述排气出口还具有和所述进样腔室连通的连通通道。

5.根据权利要求1所述的质谱仪一级真空结构，其特征在于，所述排气出口数量为2n个且围绕所述支撑部件圆周均布，n为自然数。

6.根据权利要求1所述的质谱仪一级真空结构，其特征在于，所述排气口相对于所述截取锥的中轴线为向心设计或偏心设计。

7.一种应用于本发明的方法，其特征在于，待测样品经离子化后经所述进样锥进入所述进样腔室，通过机械泵通过安装在所述支撑部件周边具有对称设置且连通内部腔室的排气出口使所述进样锥和所述截取锥之间连通的空间形成一级真空，所述截取锥之后形成二级真空，待测样品随负压及电场作用下穿过所述聚焦环进入所述截取锥。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述待测样品中不带电荷的中性溶剂和杂质分子沿对称安装在所述支撑部件外壁且与所述聚焦腔室连通的所述排气出口排出。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述待测样品中不带电荷的中性溶剂和杂质分子沿安装在所述聚焦腔室和所述支撑部件结合部位后侧的所述排气出口排出。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述待测样品中不带电荷的中性溶剂和杂质分子沿和所述进样腔室连通的所述排气出口的连通通道排出。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述排气出口数量为2n个且围绕所述支撑部件圆周均布，n为自然数。