[发明专利]一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源

权利要求书

1.一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，包括有超窄双阱的RTD器件(1)，所述的超窄双阱的RTD器件(1)的集电区金属电极上连接有第一矩形微带贴片天线(2)，所述的超窄双阱的RTD器件(1)的发射区金属电极上连接有第二矩形微带贴片天线(3)，所述的第一矩形微带贴片天线(2)和第二矩形微带贴片天线(3)的上端面位于同一水平面上，所述的超窄双阱的RTD器件(1)分别与所述的第一矩形微带贴片天线(2)之间的空间以及与第二矩形微带贴片天线(3)之间的空间均填充有二氧化硅钝化层(4)，所述的超窄双阱的RTD器件(1)包括有由下至上依次形成的衬底(11)、缓冲层(12)和发射区电极接触层(13)，所述发射区电极接触层(13)上分别形成有发射区(14)和发射区金属电极(115)，所述发射区(14)上由下至上依次形成有发射区隔离层(15)、第一势垒(16)、第一势阱(17)、子势阱(18)、第二势阱(19)、第二势垒(110)、集电区隔离层(111)、集电区(112)、集电区电极接触层(113)和集电区金属电极(114)。

2.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的衬底(11)为半绝缘InP衬底，厚度为100－300μm。

3.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的缓冲层(12)由In_0.53Ga_0.47As层构成，厚度为200nm。

4.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的发射区电极接触层(13)、发射区(14)、集电区(112)和集电区电极接触层(113)是由掺Si浓度达到2*10¹⁹cm^-3的In_0.53Ga_0.47As层构成，其中发射区电极接触层(13)的厚度为400nm，发射区(14)的厚度为20nm，集电区(112)的厚度为15nm，集电区电极接触层(113)的厚度为8nm。

5.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的发射区隔离层(15)厚度为2nm。

6.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的第一势垒(16)和第二势垒(110)是由AlAs层构成，厚度为1.2nm。

7.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的第一势阱(17)、第二势阱(19)和集电区隔离层(111)是由In_0.53Ga_0.47As层构成，其中，第一势阱(17)和第二势阱(19)的厚度为1.2nm，集电区隔离层(111)的厚度为2nm。

8.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的子势阱(18)是由InAs层构成，厚度为1.2nm。

9.根据权利要求1所述的一种具有新型材料结构的矩形微带贴片天线太赫兹波源，其特征在于，所述的集电区金属电极(114)和发射区金属电极(115)材质为金属，厚度均为100-300nm。