[发明专利]一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法

权利要求书

1. 一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于包括如下步骤：

1）配制由硅源、铝源、碱、模板剂、去离子水组成的合成液A对惰性合金基材进行处理使合金表面原位成核；

2）配制由硅源、铝源、碱、模板剂、去离子水组成的另一合成液B，进行预先活化，然后转移至聚四氟乙烯衬里的不锈钢反应釜内，将表面已原位成核的惰性合金基材垂直浸于预先活化后的合成液B中，进行水热晶化，使惰性合金表面已存在的晶核发生二次生长或发生二次成核生长，得到致密分子筛膜。

2. 根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述的步骤1）具体为：将由硅源、铝源、碱、模板剂、去离子水组成的合成液A置于聚四氟乙烯衬里的不锈钢反应釜内，将惰性合金基材垂直浸于该合成液A中，进行水热晶化，在100-200℃下水热反应2-100h，使得合金表面原位成核。

3. 根据权利要求1或2所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述的合成液A的组成为：n(硅源) : n(铝源) : n(碱) : n(模板剂) : n(水)=1 : a : b : c : d，其中a=0~0.5，b=0.2~3.2，c=0~1，d=10~200。

4.根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述步骤2）中合成液B的组成为：n(硅源) : n(铝源) : n(碱) : n(模板剂) : n(水)= 1 : a : b : c : d，其中a=0~0.5，b=0.1~2.2，c=0~1，d=20~1000。

5. 根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述步骤2）中的活化条件为80-200℃下水热反应2-100h。

6. 根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述步骤2）中所述的水热晶化条件为100-200℃下水热反应2-100h。

7. 根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述的硅源采用正硅酸乙酯、硅酸钠、水玻璃、无定形二氧化硅、硅溶胶中的一种或两种组成的混合物。

8. 根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述的铝源可采用硝酸铝、硫酸铝、铝箔、氧化铝、氢氧化铝、偏铝酸钠、异丙醇铝、拟薄水铝石中的一种或两种组成的混合物。

9. 根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述的碱可采用氢氧化钠、氢氧化钾、氨水、正丁胺、乙二胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁甲氢氧化铵中的一种或两种组成的混合物。

10. 根据权利要求1所述的一种惰性合金基材表面制备致密分子筛膜的方法，其特征在于：所述的模板剂可采用四甲基溴化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基溴化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基溴化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基溴化铵、四丁基氢氧化铵中的一种或两种组成的混合物。