[发明专利]一种大岩桐离体再生体系建立方法无效
申请号: | 201510085884.X | 申请日: | 2015-02-21 |
公开(公告)号: | CN104686328A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
发明(设计)人: | 杨业云 | 申请(专利权)人: | 杨业云 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 玉林市振盛专利商标代理事务所 45109 | 代理人: | 邱振泉 |
地址: | 537000 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大岩桐离体 再生 体系 建立 方法 | ||
1.一种大岩桐离体再生体系建立方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)外植体消毒:从盒栽的生长旺盛的大岩桐植株上的幼嫩叶片为外植体,先用流水下冲洗1~3h后置于超净工作台中,再于用75%乙醇消毒5~30s后用无菌水洗3~5次,再用0.1%升汞溶液消毒1~10min,用无菌水冲洗4~6次再用无菌滤纸擦干表面的水珠后备用;
(2)芽诱导培养:将步骤(1)处理后的叶片切成1×1cm2长的小块并接种到诱导培养基上,先在25~28℃条件下全暗培养1~3天,然后置于每天光照10~12小时,光照强度为1500~3000lx,直至诱导形成不定芽;
(3)增殖培养:将步骤(2)培养的叶片边缘伤口处产生的愈伤组织上的不定芽长至约2.0~3.0cm时切下,剪掉其茎尖并接种至增殖培养基上进行增殖培养,接种后先在25~28℃条件下全暗培养3~5天,然后置于每天光照10~13小时,光照强度为1500~2500lx,置于培养温度为25~28℃的条件下培养2~3周后,其叶腋处就会长出许多小芽,再将这些小芽反复切割进行继代培养,得到不定芽;
(4)生根培养:将步骤(3)过程获得的高度约为3.5~4.5cm的小芽分切下并接种到生根培养基上进行生根培养,接种后先在25~28℃条件下全暗培养3~7天,然后置于每天光照12~15小时,光照强度为1500~2500lx,培养温度为25~28℃的条件下培养20天左右即开始生根;
(5)炼苗移栽:将步骤(4)获得的高约5~7cm、生长健壮、根系粗壮、叶色浓绿的生根试管苗去瓶盖置于自然光照下炼苗3~5天后,将试管苗从培养瓶中取出,洗掉根部培养基并在多菌灵溶液中浸泡8~10s,栽入由营养土:沙土=3:1混合成的基质,保持湿度并给予60%~80%的遮阴处理。
2.根据权利要求1所述的一种大岩桐离体再生体系建立方法,其特征在于步骤(2)所述的诱导培养基为:MS+0.5~2mg/L6-BA+0.1~1mg/L NAA+15~30g/L蔗糖+3.5~6.0g/L琼脂,pH为5.4~5.8。
3.根据权利要求1所述的一种大岩桐离体再生体系建立方法,其特征在于步骤(3)所述的增殖培养基为:MS+0.1~1mg/L NAA+0.5~1mg/L 6-BA+15~30g/L蔗糖+3.5~6.0g/L琼脂,pH为5.4~5.8。
4.根据权利要求1所述的一种大岩桐离体再生体系建立方法,其特征在于步骤(4)所述的生根培养基为:1/2MS+0.1~2mg/L NAA+15~30g/L蔗糖+3.5~6.0g/L琼脂,pH为5.4~5.8。
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