[发明专利]用于保形氮化铝的高增长速率的工艺有效
| 申请号： | 201510086588.1 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104851796B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 尚卡尔·斯娃米纳森;阿南德·班尔及;纳格拉杰·尚卡尔;阿德里安·拉瓦伊 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/318;C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 樊英如,李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 氮化 增长 速率 工艺 | ||
1.一种在反应室中处理具有特征的半导体衬底的方法，该方法包括：
(a)将所述衬底暴露于含铝前体持续足以基本上吸附到所述衬底的表面上的时间；
(b)从所述反应室清扫所述含铝前体持续不足以从气相基本上去除所有的所述含铝前体的时间；
(c)将所述衬底暴露于含氮前体持续足以驱动热介导的反应以在所述衬底的所述表面上形成氮化铝层的时间，其中，所述氮化铝层对于所述衬底基本上是保形的并具有约或更大的厚度；
(d)从所述反应室清扫气相中的所述含氮前体；以及
(e)重复(a)至(d)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮化铝层具有至少80％的台阶覆盖率。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在介于250℃和450℃之间的工艺温度下处理所述衬底。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在介于0.01乇和10乇之间的压强下处理所述衬底。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含铝前体是三甲基铝(TMA)。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氮前体是氨(NH3)。
7.根据权利要求1所述的方法，其中清扫所述含铝前体进一步包括使氮气(N2)流动并且清扫所述含氮前体进一步包括使氮气(N2)流动。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含铝前体被清扫持续约2秒。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底暴露于所述含铝前体持续7.5秒至30秒。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底暴露于所述含铝前体的时间比清扫所述含铝前体的时间的比率介于3.75:1和15:1之间。
11.根据权利要求1所述的方法，其中处理显示实质上无图案加载。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，在(a)至(d)的循环期间沉积的氮化铝的量为至少。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，在(a)至(d)的循环期间沉积的氮化铝的量为至少。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述特征具有至少2:1的深宽比。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的所述特征具有小于100nm的开口。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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