[发明专利]聚光型光电转换装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510086836.2 申请日: 2015-02-17
公开(公告)号: CN104868835B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 后藤涉;塩原利夫 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H02S40/22 分类号: H02S40/22
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张永康;李英艳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 光电转换元件 光电转换装置 聚光镜 聚光型 贯通孔 散射光 透明热固性树脂 外部连接基板 聚光倍率 散热设计 转换效率 带隙 聚光 制造 配置
【说明书】:

本发明的目的在于提供一种聚光型光电转换装置,无需重新进行带隙设计,使用非太阳能电池制造商也能够获得的既有的太阳能电池,可以容易地制造,散热设计容易,且即便提高聚光倍率也能够抑制转换效率下降。为了解决所述问题,本发明提供一种聚光型光电转换装置,其具备:聚光镜;及,光电转换元件,其设置于与前述聚光镜相对向的位置,其特征在于,前述光电转换元件包含:具有贯通孔的散射光用太阳能电池;及,聚光用太阳能电池,其配置于前述散射光用太阳能电池的前述贯通孔内;并且,前述聚光镜由透明热固性树脂所构成,前述光电转换元件载置于外部连接基板上。

技术领域

本发明涉及一种聚光型光电转换装置及其制造方法。

背景技术

先前以来,作为光电转换装置,将太阳能转化为电能的太阳能发电装置得以实际应用,为了实现低成本化,并进一步获得较多的发电量,一种聚光型光电转换装置已实用化,其通过聚光镜将聚集的太阳光照射至比聚光镜的受光面积更小的太阳能电池元件,来取得电能(例如,参照专利文献1)。

但是,先前的聚光型光电转换装置存在以下问题:晴天时,与使用普通的硅太阳能电池的平板太阳能电池组件(module)相比,可获得更多的发电量,但阴天时几乎无法获得发电量。

为了解决上述问题,提出一种聚光型光电转换装置,其构造为,在散射光用硅太阳能电池上放置聚光用化合物半导体多接合型太阳能电池,从而将散射光用硅太阳能电池与聚光用化合物半导体多接合型太阳能电池电性连接(参照专利文献2)。

[现有技术文献]

(专利文献)

专利文献1:日本特开2006-339522号公报;

专利文献2:日本特开2009-147077号公报。

发明内容

对在专利文献2中提出的聚光型光电转换装置,一边参照图7,一边进行以下说明。

在图7中,聚光型光电转换装置3具有:硅太阳能电池100,即散射光用太阳能电池;及,化合物半导体多接合型太阳能电池200,即形成于硅太阳能电池100上的聚光用太阳能电池。

另外,聚光型光电转换装置3的上部为受光面,上部具有聚光至聚光用太阳能电池即化合物半导体多接合型太阳能电池200的聚光镜(未图示)。

硅太阳能电池100包含:p型硅基板113;n型杂质掺杂区域114,其形成于p型硅基板113的受光面侧;及,p型杂质掺杂区域112,其形成于p型硅基板113的受光面的相反侧;其中,n型杂质掺杂区域114包含:第一发射极层114a;及,第二发射极层114b,其设置于第一发射极层114a的周围。

在第二发射极层114b的表面形成有n电极115,在p型杂质掺杂区域112的表面形成有p电极111。

并且,在第一发射极层114a上,隔着一部分绝缘膜117,形成有L字形状的接合电极116。

化合物半导体多接合型太阳能电池200具有:受光面侧的第一化合物半导体太阳能电池523;第二化合物半导体太阳能电池524,其位于受光面的相反侧;及,隧道结层(tunnel junction layer)518,其位于第一化合物半导体太阳能电池523与第二化合物半导体太阳能电池524之间。

第一化合物半导体太阳能电池523与第二化合物半导体太阳能电池524,通过隧道结层518接合。

第一化合物半导体太阳能电池523,含有由带隙宽度为1.8eV以上且2eV以下的半导体层所形成的第一pn结525,并且,具有受光面侧的第一n型化合物半导体层积层体516、及受光面相反侧的第一p型化合物半导体层积层体517。

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