[发明专利]薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置有效

专利信息
申请号: 201510087370.8 申请日: 2015-02-25
公开(公告)号: CN104867931B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 李瑛长;孙庚模;赵圣弼;朴帝薰;李昭珩;盧相淳;朴文镐;李成秦;高承孝;郑美真 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 栅极电极 薄膜晶体管基板 显示装置 薄膜晶体管 第二区域 多晶半导体层 第一区域 漏极电极 源极电极 氧化物半导体层 氮化物层 氧化物层 基板 申请 覆盖
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

第一区域和第二区域;

设置在第一区域的第一薄膜晶体管,包括多晶半导体层、在多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极;

设置在第二区域的第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极、在第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极;

氮化物层,位于所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电极;

氧化物层,设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上;以及

栅极绝缘层,设置在第一栅极电极和第二栅极电极之下,覆盖多晶半导体层且包括氧化硅材料,

其中所述氧化物层设置在第一区域和第二区域上,或者所述氧化物层设置在所述显示装置除第二区域外的区域上并设置在氮化物层之下。

2.根据权利要求1所述的显示装置,还包括驱动器,

其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在像素中,以及

其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在所述驱动器。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一栅极电极和第二栅极电极形成在所述栅极绝缘层上的同一层上。

4.根据权利要求1所述的显示装置,

其中所述第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件,

其中所述第一薄膜晶体管是用于驱动由第二薄膜晶体管选择的像素的有机发光二极管的驱动元件。

5.根据权利要求2所述的显示装置,其中所述驱动器包括:

输出数据电压的数据驱动器;

分配数据驱动器的数据电压给数据线的多工器;以及

输出扫描脉冲给栅极线的栅极驱动器;

其中所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的至少一个设置在多工器和栅极驱动器中的任何一个。

6.根据权利要求1所述的显示装置,

其中所述第一源极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的源极接触孔连接到多晶半导体层的一部分,

其中所述第一漏极电极设置在氧化物层上,并通过贯穿氧化物层、氮化物层和栅极绝缘层的漏极接触孔连接到多晶半导体层的另一部分,

其中所述第二源极电极接触所述氧化物层上的氧化物半导体层的一部分,以及

其中所述第二漏极电极接触所述氧化物层上的氧化物半导体层的另一部分。

7.根据权利要求1所述的显示装置,

其中所述氮化物层和氧化物层的每一个都具有至的厚度。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述氮化物层设置在氧化物层之下。

9.根据权利要求8所述的显示装置,还包括在第一区域中设置在氮化物层和第一栅极电极之间的下氧化物层。

10.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述氮化物层设置在氧化物层上。

11.一种显示装置,包括:

第一区域和第二区域;

设置在第一区域中且包括多晶半导体材料的第一半导体层;

覆盖第一半导体层且包括氧化硅材料的栅极绝缘层;

设置在栅极绝缘层上并与第一半导体层重叠的第一栅极电极;

在第二区域中设置在栅极绝缘层上的第二栅极电极;

氮化物层,设置在所述显示装置除第二区域外的区域上,并覆盖第一栅极电极;

覆盖第一栅极电极和第二栅极电极的氧化物层;

在第二区域中设置在氧化物层上的第二半导体层,所述第二半导体层包括氧化物半导体材料并与第二栅极电极重叠;

设置在氧化物层上的第一源极电极和第一漏极电极;以及

设置在第二半导体层上的第二源极电极和第二漏极电极,

其中所述氧化物层设置在第一区域和第二区域上,或者所述氧化物层设置在所述显示装置除第二区域外的区域上并设置在氮化物层之下。

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