[发明专利]氧化锌系变阻器的制造方法有效
申请号: | 201510087897.0 | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN104867638B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 五味洋二;神琦达也 | 申请(专利权)人: | 兴亚株式会社 |
主分类号: | H01C17/00 | 分类号: | H01C17/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化锌 变阻器 制造 方法 | ||
本发明提供一种氧化锌系变阻器的制造方法。由将以氧化锌为主原料、在该主原料中添加了第一添加物而成的变阻器原料,和作为硼硅酸锌系玻璃的、添加了第二添加物而成的玻璃材料混合而成的混合材料形成变阻器元件。此时,第一添加物及第二添加物含有添加于变阻器原料和玻璃材料的双方中的规定的共同元素,由此由该变阻器元件制造电特性优异的氧化锌系变阻器。
技术领域
本发明涉及一种例如电源噪声、雷电感应噪声等的除去中所使用的氧化锌系变阻器的制造方法。
背景技术
随着电气电子设备的高频化、大容量化,作为用于在例如移动电话、汽车等中保护设备电路不受电源噪声、各种电涌、脉冲性噪声、静电放电(ESD)的影响或者确保工作的稳定性的对策、对于噪声规定的应对,使用了氧化锌型层叠片式变阻器。作为其代表性的应用例,可以举出:作为保护半导体不受移动电子设备、车载电子设备的甩负载涌浪、点火电涌、雷涌、ESD、开关电涌的影响的半导体保护元件的利用。
作为氧化锌变阻器的基本组成,添加促进晶粒生长的Bi2O3、抑制晶粒生长的Sb2O3。另外,添加各种玻璃等作为烧结助剂。变阻器通过添加物、其添加量的组合而使得到的电特性、可靠性较大地变化。例如,根据所添加的原料的混合比例产生烧结时的晶粒生长的不均匀性(バラつき)、被称为晶界能级(粒界準位)的双肖特基势垒的不均匀性。其结果,在作为变阻器的基本特性的施加电压时的漏电流、表示非直线性的α值、限制电压、以及施加大电涌时的电路保护能力中产生大的差异。
予以说明,关于氧化锌变阻器,作为谋求提高电涌耐量、限制电压比等电特性的氧化锌变阻器,例如有专利文献1中所记载的铋系氧化锌变阻器。
专利文献1:日本特开2006-245111号公报
发明内容
发明所要解决的课题
对于以氧化锌(ZnO)为主成分的变阻器烧结体,优选满足(1)晶粒(ZnO的晶粒)均匀、(2)晶粒(ZnO)间的空隙少、(3)形成晶界能级(双肖特基势垒)且不均匀性小、(4)晶粒(ZnO)的比电阻小等要件。然而,目前难以得到理想的变阻器,难以得到变阻器的基本特性全部优异的变阻器。
本发明是鉴于上述的课题而完成的,其目的在于,提供一种在作为变阻器的基本特性的漏电流、限制电压及脉冲耐量的全部中,使特性提高了的氧化锌系变阻器的制造方法。
用于解决课题的方案
作为实现上述目的、解决上述的课题的一个手段,本发明的氧化锌系变阻器的制造方法的特征在于,具备:准备以氧化锌(ZnO)为主原料且在该主原料中添加第一添加物而成的变阻器原料和作为硼硅酸锌系玻璃的添加第二添加物而成的玻璃材料的步骤、制作将所述变阻器原料和所述玻璃材料混合而成的混合材料的步骤、和由所述混合材料形成氧化锌系变阻器的变阻器元件(素体)的步骤,所述第一添加物及所述第二添加物含有添加于所述变阻器原料和所述玻璃材料的双方中的规定的共同元素。
例如,其特征在于,以相对于所述变阻器原料中所含的氧化锌为0.5重量份~2.5重量份的方式称量所述玻璃材料,与所述变阻器原料混合。另外,例如,其特征在于,所述共同元素含有氧化锰(MnO2)、氧化钴(CoO)、氧化铬(Cr2O3)中的任一过渡金属。进而,例如,其特征在于,所述共同元素含有氧化锑(Sb2O3)或氧化铝(Al2O3)。另外,例如,其特征在于,所述玻璃材料含有氧化铅(PbO)或氧化铋(Bi2O3)作为所述第二添加物以外的添加物。
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