[发明专利]一种LED恒流源及其去磁时间检测方法有效

专利信息
申请号: 201510088069.9 申请日: 2015-02-26
公开(公告)号: CN104754824B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 李剑;黄朝刚;黎海明 申请(专利权)人: 泉芯电子技术(深圳)有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02;G01R33/12
代理公司: 深圳市惠邦知识产权代理事务所44271 代理人: 满群
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 恒流源 及其 时间 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种LED恒流源,包括依次串接的电感、控制端电连接内置电流比较器的控制模块的通断开关管、电流采样电阻(Rs)和地,其特征在于,还包括恒压驱动模块和镜像电流源,所述镜像电流源的电流输出端(I)依次电连接电流去磁检测单元和所述控制模块,所述电流镜像电流源的电流基准端(I1)串接在去磁时间检测开关管的栅极与恒压驱动模块之间;所述去磁时间检测开关管的漏极与所述电感的电流流出端电连接。

2.根据权利要求1所述LED恒流源,其特征在于,所述通断开关管是低压MOS管(LVMOS),所述去磁时间检测开关管是高压MOS管(HVMOS),所述电感是电感元件(L2),所述电感元件(L2)依次电连接高压MOS管(HVMOS)、低压MOS管(LVMOS)、电流采样电阻(Rs)和地;所述LED恒流源还包括与外接LED负载(LEDs)和电感元件(L2)并联的续流二极管(D1)。

3.根据权利要求1所述LED恒流源,其特征在于,所述电感是电感元件(L2),所述通断开关管是高压MOS管(HVMOS),所述去磁时间检测开关管是耗尽型NMOS管(M1);所述耗尽型NMOS管(M1)的漏极连接所述电感元件(L2),源极连接内部芯片电源(VCC);所述LED恒流源还包括与外接LED负载(LEDs)和电感元件L2并联的续流二极管D1。

4.根据权利要求1所述LED恒流源,其特征在于,所述通断开关管是低压MOS管(LVMOS),所述去磁时间检测开关管是高压MOS管(HVMOS),所述电感是变压器(T)中的初级线圈,所述变压器(T)中的次级线圈与电流反向保护二极管(D2)和外接LED负载(LEDs)构成回路。

5.根据权利要求1-4中任一项所述LED恒流源,其特征在于,所述LED恒流源中镜像电流源是基本镜像电流源或比例电流源。

6.根据权利要求5所述LED恒流源,其特征在于,所述LED恒流源中控制模块还包括逻辑控制单元,所述逻辑控制单元分别输入连接电流检测单元和电流比较器,输出连接通断开关管的控制端。

7.一种LED恒流源去磁时间检测方法,其特征在于,利用镜像电流源和漏极与所述LED恒流源中电感电流流出端连接的恒压驱动模块驱动的去磁时间检测开关管,包括以下步骤:

去磁时间检测开关管的栅极电流随去磁时间检测开关管漏极电压VP时间函数的导数变化而变化;

通过所述恒压驱动模块和镜像电流源获取去磁时间检测开关管的栅极电流;

检测所述栅极电流的大小和/或方向,当超过设定门限时,判定去磁完成。

8.根据权利要求7所述LED恒流源去磁时间检测方法,其特征在于,所述设定门限是电流大小。

9.根据权利要求7所述LED恒流源去磁时间检测方法,其特征在于,所述设定门限是电流方向。

10.根据权利要求7所述LED恒流源去磁时间检测方法,其特征在于,所述设定门限是电流大小和电流方向。

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