[发明专利]具有掺杂压电材料和框架元件的体声波谐振器

权利要求书

1.一种体声波BAW谐振器，其包括：

第一电极；

第二电极；

安置于所述第一电极与所述第二电极之间的压电层，所述压电层包括掺杂有至少一种稀土元素的压电材料；以及

安置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一者的表面上的凹陷框架元件。

2.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述凹陷框架元件是沿所述第二电极的周边而安置。

3.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述凹陷框架元件安置于所述第一电极内且直接与所述第二电极的周边对立。

4.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述凹陷框架元件整合到所述第一电极和所述第二电极中的所述者中。

5.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其进一步包括安置于所述第一电极、所述第二电极和所述压电层下方的反射元件，其中所述反射元件、所述第一电极、所述第二电极和所述压电层的重叠部分界定所述声谐振器的作用区域。

6.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述反射元件包括安置于其上安置有所述第一电极、所述第二电极和所述压电层的基板中的腔。

7.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述反射元件包括具有交替的高声阻抗和低声阻抗的多个层。

8.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其中所述压电材料包括氮化铝AlN。

9.根据权利要求8所述的BAW谐振器，其中所述至少一种稀土元素并入到所述AlN压电材料的晶格中。

10.根据权利要求8所述的BAW谐振器，其中所述至少一种稀土元素包括钪Sc。

11.根据权利要求8所述的BAW谐振器，其中所述至少一种稀土元素包括并入到所述AlN压电材料的晶格中的两种或两种以上稀土元素。

12.根据权利要求11所述的BAW谐振器，其中所述至少两种稀土元素包括钪Sc和铒Er。

13.根据权利要求12所述的BAW谐振器，其中所述至少两种稀土元素进一步包括钇Y。

14.根据权利要求1所述的BAW谐振器，其进一步包括安置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一者的表面上的凸起框架元件。

15.根据权利要求14所述的BAW谐振器，其中所述压电材料包括氮化铝AlN。

16.根据权利要求15所述的BAW谐振器，其中所述至少一种稀土元素并入到所述AlN压电材料的晶格中。

17.根据权利要求15所述的BAW谐振器，其中所述至少一种稀土元素包括钪Sc。

18.根据权利要求15所述的BAW谐振器，其中所述至少一种稀土元素包括并入到所述AlN压电材料的晶格中的两种或两种以上稀土元素。

19.根据权利要求18所述的BAW谐振器，其中所述至少两种稀土元素包括钪Sc和铒Er。

20.根据权利要求12所述的BAW谐振器，其中所述至少两种稀土元素进一步包括钇Y。

21.一种体声波BAW谐振器，其包括：

第一电极；

第二电极；

安置于所述第一电极与所述第二电极之间的压电层，所述压电层包括掺杂有至少一种稀土元素的压电材料；以及

安置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一者的表面上的凸起框架元件。

22.根据权利要求21所述的BAW谐振器，其中所述凸起框架元件是沿所述第二电极的周边而安置。

23.根据权利要求21所述的BAW谐振器，其中所述凸起框架元件安置于所述第一电极内且直接与所述第二电极的周边对立。

24.根据权利要求21所述的BAW谐振器，其中所述凸起框架元件整合到所述第一电极和所述第二电极中的所述者中。

25.根据权利要求21所述的BAW谐振器，其进一步包括安置于所述第一电极、所述第二电极和所述压电层下方的反射元件，其中所述反射元件、所述第一电极、所述第二电极和所述压电层的重叠部分界定所述声谐振器的作用区域。