[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510088951.3 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990281B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 叠层 通道层 半导体结构 绝缘材料 选择线 隧穿层结构 捕捉层 介电层 基板 交替叠层 导电条 绝缘条 势垒层 电层 共形 垒层 覆盖 制造 | ||
【说明书】：
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