[发明专利]一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510089089.8 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104630717B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 孙丽卿;王淑芳;闫国英;傅广生;李晓苇 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)13115 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 071000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 na sub coo 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法,其特征在于：制备0.5≤x≤0.8的NaxCoO2透明导电薄膜的方法步骤中包括：
A、陶瓷靶材的制备
将Co3O4粉末研磨均匀后，压制成型，再利用高温固相反应法烧结得到制备NaxCoO2透明导电薄膜用的Co3O4靶材，所述的烧结是在高温退火炉中进行，炉内温度控制在650-750℃，烧结时间为5-7小时，自然降温至室温，这样重复烧结2-3次；
B、脉冲激光沉积薄膜
用得到的靶材通过脉冲激光沉积技术在单晶基底上生长c轴取向的CoO以得到预制薄膜，所述的脉冲激光沉积技术的激光频率1-10Hz，激光能量密度1.5-3mJ/cm2，本底真空10-4-10-5Pa，氧压1×10-2-80Pa，基底温度600-700℃，基底和靶材距离40-60mm，所用的激光器为308nm的XeCL准分子激光器；
C、钠蒸汽氛围退火
将NaHCO3粉末覆盖在预制薄膜表面，再将预制薄膜置于高温退火炉中进行退火处理，退火温度为700-750℃、时间为1-2小时，这样即可获得c轴取向的NaxCoO2透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的Co3O4粉末的纯度为99.99％。
3.根据权利要求1所述的一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的压制成型采用的是静压成型法。
4.根据权利要求1所述的一种P型NaxCoO2透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤B中所述的单晶基底为c轴取向的Al2O3、LaAlO3、或SrTiO3单晶薄片。
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