[发明专利]低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法

权利要求书

1.低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：

1)配料：按照化学式AgSbTe_2+x中各元素的化学计量比称量单质银、碲和锑作为原料，其中x为0～0.02；

2)压块密封：将步骤1)所述原料混合均匀，压制成块体后真空密封；

3)固相反应：将步骤2)所得真空密封后的块体升温至反应温度390～450℃保温6～12h，得单相碲化银锑腚体或者近单相碲化银锑腚体；

4)热压：将步骤3)所得腚体研磨后进行热压烧结，即得到高致密度碲化银锑热电材料。

2.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤1)所述的单质银、碲和锑为粉末状，粒径优选200目以下。

3.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤1)所述的单质银、碲和锑的纯度大于等于99.5％。

4.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤2)中混合的条件为：将原料充分研磨30～60min。

5.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤2)中压制成块体的条件为：所得块体密度不小于碲化银锑密度的85％。

6.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤3)中升温速率不大于100℃/h。

7.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤3)中升温至反应温度以下50～100℃时降低升温速率，控制升温速率不高于50℃/h。

8.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤4)与步骤3)之间插入步骤2)和3)若干次。

9.根据权利要求1所述的低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于步骤3)中的热压烧结的条件为：真空或惰性气氛下，压力不小于30MPa，热压温度为400～480℃，时间为15～30min。

10.权利要求1-9之一所述方法制备得到的碲化银锑热电材料。