[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510090206.2 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105984839B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超;闾新明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供底部晶圆，所述底部晶圆包括检测区域，其中，在所述底部晶圆上形成有MEMS器件以及图案化的掩膜层；
步骤S2：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述检测区域，以在所述检测区域中形成若干相互间隔的虚拟凹槽，作为清洗通道；
步骤S3：提供顶部晶圆，并与所述底部晶圆接合为一体；
步骤S4：对所述顶部晶圆的顶部进行划片切割，以形成开口，露出所述虚拟凹槽；
步骤S5：执行清洗步骤，以清除所述检测区域中的碎片，其中所述虚拟凹槽的底部到所述顶部晶圆的垂直距离大于所述碎片的尺寸。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，对所述顶部晶圆的顶部进行若干次切割，以形成尺寸较小的所述碎片。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述虚拟凹槽的底部到所述顶部晶圆的垂直距离为30-40um，所述碎片的尺寸小于30um。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述虚拟凹槽的深度为4-6um。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5之后，所述方法还进一步包括对所述检测区域进行检测的步骤。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3和所述步骤S4之间还进一步包括对所述顶部晶圆进行研磨打薄的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述MEMS器件包括图案化的金属焊盘，并且所述掩膜层覆盖所述金属焊盘。
8.一种基于权利要求1至7之一所述的方法制备得到的MEMS器件。
9.一种电子装置，包括权利要求8所述的MEMS器件。
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