[发明专利]用于SRAM的存储单元及其读写方法

权利要求书

1.一种用于SRAM的存储单元，其特征在于，包括：

第一位线、第二位线、第三位线、第一字线和第二字线，其中，所述第一字线用于控制向所述存储单元写入由所述第一位线和/或所述第二位线所指示的电平状态，所述第二字线用于控制从所述存储单元读出电平状态，所述第三位线用于输出读出的所述电平状态；

第一晶体管，通过源极和漏极连接在所述第三位线与所述第二字线之间，通过栅极连接至所述第一位线与所述第二位线之间的晶体管组，所述晶体管组用于写入所述第一位线与所述第二位线所指示的所述电平状态。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：第二晶体管和第三晶体管，其中，

所述第二晶体管，通过源极连接在所述第一位线，通过漏极与所述晶体管组连接，通过栅极连接在所述第一字线；

所述第三晶体管，通过源极与所述晶体管组连接，通过漏极连接在所述第二位线，通过栅极连接在所述第一字线；

其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管为NMOS管。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述晶体管组包括：

第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管，其中，

所述第一PMOS管，通过源极连接在电源，通过漏极连接在所述第二晶体管的漏极，所述第一PMOS管的栅极连接至所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极交点；

所述第一NMOS管，通过源极连接在所述第二晶体管的漏极，通过漏极接地，所述第一NMOS管的栅极连接至所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极交点；

所述第二PMOS管，通过源极连接在电源，通过漏极连接在所述第三晶体管的源极，所述第二PMOS管的栅极连接至所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极的交点；

所述第二NMOS管，通过源极连接在所述第二PMOS管的漏极，通过漏极接地，所述第二NMOS管的栅极连接至所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极的交点；其中，

所述第一晶体管，通过栅极连接在所述第一PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极的交点，且通过栅极连接在所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的源极的交点。

4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述晶体管组还包括：

第四晶体管，通过源极连接至所述电源，通过漏极连接至所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极之间，通过栅极连接至所述第二晶体管的漏极；其中，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管分别通过所述第四晶体管连接至所述电源，所述第四晶体管为PMOS管。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一晶体管为NMOS管。

6.一种用于SRAM的存储单元的读取方法，其特征在于，用于从如权利要求1至5中任一项所述的用于SRAM的存储单元中读出所存储的电平状态，所述方法包括：

将所述第三位线预置为第一电平；

根据所述第一电平在所述第二字线上加载第二电平；

根据所述第二电平判断是否读取所述存储单元中所存储的所述电平状态；

若判断出读取所述存储单元中所存储的电平状态，则由所述第三位线读出所存储的所述电平状态。

7.根据权利要求6所述的读取方法，其特征在于，所述若判断出读取所述存储单元中所存储的电平状态，则由所述第三位线读出所存储的所述电平状态包括：

通过导通所述第一晶体管由所述第三位线读出所述存储单元中所存储的所述电平状态。