[发明专利]提取LOD效应模型的方法有效
| 申请号： | 201510091616.9 | 申请日： | 2015-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104657558B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 廖梦星;张昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提取 lod 效应 模型 方法 | ||
1.一种提取LOD效应模型的方法，其特征在于，包括步骤：
提取初始MOS管模型；
在不同应力参考值下分别提取出多个不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数，所述不同尺寸MOS管对应不同应力参考值，所述应力参考值包括一预设参考值；
将不同尺寸MOS管的LOD效应模型参数分别添加至与所述应力参考值相匹配的初始MOS管模型中；
将不同尺寸MOS管的LOD效应模型进行整合获得整合后的LOD效应模型；
对整合后的LOD效应模型中与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管的LOD效应模型参数进行修改，使修改满足预设参考值；
对与所述预设参考值对应的MOS管尺寸不同的MOS管进行测试参数的目标重设后，获得最终的LOD效应模型。
2.如权利要求1所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述不同尺寸的MOS管包括宽度尺寸大于0.5μm的第一结构和宽度尺寸小于等于0.5μm的第二结构。
3.如权利要求2所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述第一结构和第二结构中均包括栅极和有源区，所述栅极横跨所述有源区，所述栅极的一侧边与所述有源区的一侧边相平行。
4.如权利要求3所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，在所述第一结构中，所述栅极与有源区相平行的两侧边之间的最小距离为0.35μm。
5.如权利要求4所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述预设参考值对应所述第一结构。
6.如权利要求3所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，在所述第二结构中，所述栅极与有源区相平行的两侧边之间的最小距离为0.69μm。
7.如权利要求6所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述不同应力参考值还包括待修正应力参考值，所述待修正应力参考值对应所述第二结构。
8.如权利要求1所述的提取LOD效应模型的方法，其特征在于，所述测试参数包括阈值电压Vth和迁移率。
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