[发明专利]粘合剂树脂组合物及采用该组合物制得的切割模片粘结膜

说明书

本申请是申请号为200880014326.2(国际申请号为：PCT/KR2008/002429)，申请日为2008年4月29日，发明名称为“粘合剂树脂组合物及采用该组合物制得的切割模片粘结膜”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种用于制备半导体封装的粘合剂树脂组合物以及采用该组合物制备的粘合膜、切割模片粘结膜(dicing die bonding film)和半导体器件，以及粘合膜的制备方法。根据本发明的粘合剂树脂组合物，其特征在于，包含a)多官能环氧树脂；b)酚醛树脂，其在121℃、2个大气压和100％RH的条件下48小时的吸湿率为2.0wt％或更低；和c)热塑性树脂。

背景技术

目前，随着半导体存储器的高集成度和高功能化，开始将闪存装入手机或移动终端，MCP(多芯片封装)的方法被大量使用，其中将多个半导体芯片层压在半导体基板上。在MCP方法中，用膜样粘合剂取代了传统液相环氧胶(日本未审查专利公开Nos.H03-192178和H04-234472等)粘结半导体芯片和半导体基板。

同时，使用所述膜样粘合剂的方法有膜部分粘合法和晶片背面粘合法。

膜部分粘合法是一种包括切割或冲压膜样粘合剂以使之成为适应芯片的部分、将其粘结到半导体基板、从晶片上取下芯片并在其上粘结模片的方法，并通过后序的步骤，如焊线和封胶步骤(日本未审查专利公开No.H09-17810)获得半导体器件。

在晶片背面粘合法中，通过将膜样粘合剂粘结到晶片背面，再进一步将具有压敏粘合剂层的切割胶带粘结到不与晶片背面粘结的对面，切割所述晶片以分离成单个的芯片，取下芯片并将其模片粘结到半导体基板，然后为焊线和封胶步骤。然而，在所述晶片背面粘合法中，有诸如难以传输薄晶片、工艺增加、难以适应不同厚度和大小的芯片、难以使膜变薄和用于高功能半导体器件可靠性差等问题。

为了解决所述问题，提出了一种方法，其包括将具有粘合剂和压敏粘合剂的膜作为一层粘合到晶片背面(日本未审查专利公开Nos.H02-32181、H08-53655和H10-8001)。所述方法不进行两次层压工艺，而能够一次进行，而且在运输晶片时不会造成问题，因为配备了支撑晶片的晶片环。此外，紫外线固化型压敏粘合剂和热固化型粘合剂是混合在一体的由压敏粘合剂构成的切割模片粘合膜中-所述粘合剂包含上述专利公开的组合物和基底。因此，所述压敏粘合剂用于在切割过程中支撑晶片，而且在紫外线固化步骤后丧失其粘合强度，因此芯片很容易从晶片上被取走。同时，所述粘合剂在模片粘结步骤中固化，而且可能使芯片与半导体基板牢固地粘合。然而，通过从制备起的压敏粘合剂层与膜内的压敏粘合剂层相互反应来使用，所述一体的切割模片粘结膜存在基底和芯片在切割后在取下半导体芯片的过程中不能很好地剥离的问题。

提出了一种压敏粘合剂和粘合剂分开的单独的切割模片粘合膜，通过溶解其可作为在切割步骤中的切割胶带和模片粘结步骤中的粘合剂，以解决一体膜的上述问题。在所述单独的切割模片粘结膜中，压敏粘合剂和粘合剂在切割步骤后用紫外线或加热通过对其固化就容易分离，因此其在半导体芯片取下步骤中不会出现问题，并为在模片粘结步骤中减小膜的厚度提供了便利。然而，在将粘合剂层压到半导体晶片背面的步骤中，与传统方法中加入加热步骤不同，压敏粘合剂在室温下粘结，也造成了相当多的空隙。此外，在加热时存在问题，晶片由于高温被弯曲，后序步骤不容易进行，并且在切片步骤中芯片由于粘合剂弱的粘结强度而脱落。因此，半导体封装的可靠性存在问题。因此，迫切需要开发一种用于半导体的粘合剂树脂组合物，在半固化状态下将粘合剂树脂组合物涂覆于半导体封装时其具有优异的粘结强度或填充性能，从而可降低加工的不合格率，并且在制备成固态的商品后，其具有优异的可靠性如耐热性、抗吸湿性和抗回流开裂性。

发明内容

本发明意图满足上述需求，本发明的目的之一是提供一种用于半导体的粘合剂树脂组合物，在半固化涂覆于半导体封装的粘合剂树脂组合物时该组合物具有优异的粘结强度或填充性能，并且在对其固化时该组合物具有优异的可靠性如耐热性、抗吸湿性和抗回流开裂性。

本发明的另一目的是提供一种包含作为粘合剂层的所述粘合剂树脂组合物的粘合膜及其制备步骤。

本发明的另一目的是提供一种切割模片粘结膜，其包括所述粘合膜和切割胶带。

本发明的另一目的是提供一种使用所述切割模片粘结膜的半导体晶片。

本发明的其他目的是提供一种使用所述粘合膜的半导体器件。

附图说明