[发明专利]一种碳化铪纳米粉体的制备方法有效
申请号: | 201510091845.0 | 申请日: | 2015-02-28 |
公开(公告)号: | CN104671245B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 王为民;方志朋;王吉林;夏睿;王阳;达奥运;傅正义 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C01B32/914 | 分类号: | C01B32/914 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化 纳米 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于陶瓷粉体制备技术领域,涉及一种碳化铪纳米粉体的制备方法。
背景技术
HfC是过渡元素Hf与C形成的一种非化学计量的碳化物,即HfCx(0.5≤x≤1),它属于一种超硬材料。根据JCPDF卡片,它的结构为NaCl型的面心立方结构,其晶格常数为0.46375nm,Hf原子形成紧密的立方晶格,C原子处于晶格的八面体间隙位置。HfC晶体是靠键距为a/2的原子键碳铪键连接,且该键是对称分布的。在HfC晶体结构中(111)面之间相邻的金属原子面与C原子平面之间是靠最强键能原子键键连接的,滑移时必须破坏最强键,故滑移非常困难,宏观上表现出超高硬度特性,其莫式硬度为9M。由于HfC晶体熔化时必须破坏高度对称分布的原子键,因而十分困难,从而宏观上表现出超高熔点特性,且HfC的原子键的键能EA=87.2163kJ/mol,故HfC的熔点高达3900℃。其体积电阻率为1.95×10-4Ω·cm(2900℃),热膨胀系数为6.73×10-6/℃,其氧化温度为400℃。因其高硬度和高熔点引起了国内外研究人员的极大兴趣,是切割工具、飞行器鼻锥、机翼前缘、发动机热端等关键部位或部件最有前途的超高温候选材料,在核火箭动力装置、核反应堆、太空飞船等领域有着不可估量的应用前景。
目前,国内外对碳化铪合成的方法报道不多,报道的方法主要有:(1)直接碳热还原法,一般需要在1900℃以上才能反应,能耗高,对设备要求高,且生长出来的颗粒尺寸大,需要借助其他方法辅助降低反应温度。(2)液相先驱体转化法,王延斌等人以HfOCl2,HCl,HNO3,正丙醇,异丙醇,乙醇,乙酰丙酮等为原料,在1500℃条件下制备出了颗粒形貌不一、大小在几十纳米到几百纳米的HfC粉末,并且颗粒有着严重的团聚现象。(3)化学气相沉积法,Karlsruhe GmbH等人,以HfCl4和适量的CH4和H2为原料,利用气相沉积法,在无孔的基板上成功制备出了碳化铪。此方法反应时间长,耗能高,产量小。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种溶胶凝胶法结合放电等离子烧结炉(SPS)的快速升温-降温技术制备碳化铪纳米粉体的方法,能耗低、产率高,并且制备的碳化铪纳米粉体纯度高、结晶度好。
为解决上述技术问题,本发明提供的技术方案是:
提供一种碳化铪纳米粉体的制备方法,其步骤如下:
1)制备含铪凝胶:将HfCl4和C6H8O7·H2O溶于去离子水,HfCl4与水的质量体积比为0.20-0.25g/mL,其中HfCl4和C6H8O7·H2O摩尔比为1:0.5-1.5,并不断搅拌使其充分溶解,然后用氨水溶液调节pH到2-3,并在60-80℃恒温下磁力搅拌处理,得到含铪凝胶;
2)制备前驱体粉末:将步骤1)所得含铪凝胶放入低温管式炉中热处理,室温下以3-10℃/min的速率升温至800℃,并保温1-3h,气氛为Ar,得到前驱体粉末;
3)制备碳化铪纳米粉体:将步骤2)所得前驱体粉末放入行星式球磨罐内进行高能球磨,所得粉体置于放电等离子体烧结炉中,在真空条件下,室温下以200-400℃/min的速率升温至1500-1800℃,保温3-10min,再以100-200℃/min的速率冷却至室温即得到碳化铪纳米粉体。
优选的是,步骤1)中HfCl4和C6H8O7·H2O摩尔比为1:1。
按上述方案,步骤1)所述氨水溶液质量浓度为25%。
按上述方案,步骤1)所述磁力搅拌速率为60-80r/min,磁力搅拌时间为30-60min。
按上述方案,步骤3)所述高能球磨工艺为:行星式球磨罐公转转速为200-250r/min,自转转速为400-500r/min,球磨时间为1-3h。
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