[发明专利]封装半导体芯片的方法及具有倾斜表面的半导体封装体有效

专利信息
申请号: 201510091860.5 申请日: 2015-02-28
公开(公告)号: CN104882418B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: K·埃利安;H·托伊斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/48
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 封装 半导体 芯片 方法 具有 倾斜 表面
【权利要求书】:

1.一种封装半导体模块的方法,所述方法包括:

提供半导体模块,所述半导体模块包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的边侧;以及

至少部分地通过3D印制工艺形成封装组件,所述封装组件包括所述半导体模块和在所述第一表面上方延伸的保护罩,

其中形成封装组件包括通过所述3D印制工艺直接在所述半导体模块的所述第一表面上形成所述保护罩,以及

其中所述保护罩包括两个表面,所述两个表面成角度彼此邻接并且远离所述第一表面而延伸以形成相对于所述第一表面的逆行形状。

2.根据权利要求1所述的方法,其中通过印制3D层来形成所述保护罩,所述3D层从所述第一表面的第一位置及第二位置处延伸并与所述半导体模块的所述边侧间隔开,使得所述保护罩包括由所述3D层的内表面和所述第一表面的部分所限定的空腔。

3.根据权利要求1所述的方法,其中通过印制3D层来形成所述保护罩,所述3D层从所述半导体模块的所述第一表面上的第一位置及第二位置处延伸并与所述边侧间隔开,使得所述保护罩包括与所述第一表面间隔开的开口。

4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括通过模制工艺形成与所述保护罩邻接的包覆成型结构。

5.一种封装半导体模块的方法,所述方法包括:

提供半导体模块,所述半导体模块包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的边侧;以及

至少部分地通过3D印制工艺形成封装组件,所述封装组件包括具有所述半导体模块和在所述第一表面上方延伸的保护罩,

其中所述保护罩包括相对侧壁,所述相对侧壁包括负锥度。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述封装组件包括具有安装表面的基底、在所述安装表面上的多个导电接触焊盘和将所述导电接触焊盘与所述半导体模块电连接的导线,其中将所述半导体模块布置在所述导电接触焊盘之间的所述安装表面上,使得所述第二表面面向所述安装表面,其中所述保护罩在所述半导体模块的相对侧上与所述安装表面邻接,并且其中形成所述封装组件包括通过所述3D印制工艺形成所述基底、所述导电接触焊盘、所述导线以及所述保护罩中的任意一个。

7.根据权利要求6所述的方法,其中通过所述3D印制工艺形成所述保护罩:首先在所述多个 导电接触 焊盘之一和所述基底的第一边之间的所述安装表面的第一部分上印制3D层,并随后将所述3D层在所述半导体模块的所述第一表面上方延伸,并随后在所述多个 导电接触 焊盘之一和所述基底的与所述第一边相对的第二边之间的所述安装表面的第二部分上印制所述3D层。

8.根据权利要求7所述的方法,其中形成所述3D层,使得将所述半导体模块布置在由所述3D层的内表面和所述安装表面所限定的空腔中。

9.根据权利要求7所述的方法,进一步包括在将所述3D层在所述半导体模块的所述第一表面上方延伸之后中断印制所述3D层,并且随后在所述第二部分上印制所述3D层,并且将所述3D层在所述第一表面上方延伸,使得所述3D层包括与所述第一表面间隔开的开口。

10.根据权利要求7所述的方法,进一步包括通过模制工艺形成与所述保护罩邻接的包覆成型结构。

11.一种半导体封装组件,包括:

基底,所述基底包括安装表面;

第一半导体模块,所述第一半导体模块包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的边侧,所述半导体模块被布置在所述基底上使得所述第二表面面向所述安装表面;

在所述第一表面上方延伸的保护罩,所述保护罩邻接所述安装表面和所述第一表面,并且包括向所述安装表面延伸的相对侧壁,所述相对侧壁包括负锥度,

其中所述保护罩通过3D印制工艺形成在所述第一半导体模块的所述第一表面上方。

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