[发明专利]一种LED发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及红外发光装置技术领域，更具体地说，涉及一种LED发光装置。

背景技术

目前LED(发光二极管)发光装置用于照明、显示和背光源等领域，并以其节能、耐用、无污染等优点作为最有希望的下一代照明方式而引起广泛的重视。

能够发射近红外线的红外LED发光装置是LED发光装置的一种，其已经被广泛应用于军事、航天、检测、食品、医疗等众多领域。在现有技术中，红外LED发光装置一般多采用黑体辐射，半导体电致发光，或者使用红外激光器发光的方式实现红外光的发射。但在实际应用中，要想得到红外器件，尤其是特定红外发射波长的器件，有一定难度，从而严重阻碍了芯片式红外LED发光装置的应用和推广。

因此，如何降低芯片式红外LED发光装置的制造难度，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种新型的LED发光装置，其采用常见的能够发出紫外光和可见光的普通LED芯片(即紫外及可见光芯片)，以取代得到难度较大的红外半导体芯片，从而令芯片式红外LED发光装置能够更加容易的制得。

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED发光装置，包括LED芯片和由红外发光材料构成的红外发光层，其中，所述LED芯片为能够发射紫外光和可见光的紫外及可见光芯片。

优选的，上述LED发光装置中，所述红外发光材料包括SrO:Nd、SrO:Ho、SrO:Er、SrO:Tm、SrO:Yb、LaF₃:Nd、LaF₃:Ho、LaF₃:Er、LaF₃:Tm、LaF₃:Yb、NaYF₄:Nd、NaYF₄:Ho、NaYF₄:Er、NaYF₄:Tm、NaYF₄:Yb、Y₃Al₅O₁₂:Nd、Y₃Al₅O₁₂:Ho、Y₃Al₅O₁₂:Er、Y₃Al₅O₁₂:Tm、Y₃Al₅O₁₂:Yb和LiYF₄:Nd中的一种或多种。

优选的，上述LED发光装置中，所述紫外及可见光芯片发出的紫外光的波长为200nm～380nm，发出的可见光的波长为380nm～780nm。

优选的，上述LED发光装置中，还包括设置于所述LED芯片和所述红外发光层之间的导光覆盖层。

优选的，上述LED发光装置中，所述导光覆盖层中分散设置有多个散光颗粒。

优选的，上述LED发光装置中，所述散光颗粒的粒径小于5μm。

本发明提供的LED发光装置，包括LED芯片和由红外发光材料构成，在LED芯片的照射下能够发出近红外光的红外发光层，其中LED芯片为能够发射紫外光和可见光的紫外及可见光芯片。上述LED发光装置通过采用市场上较为常见的紫外及可见光芯片代替红外半导体芯片，避免了得到难度较大的红外半导体芯片的使用，从而使红外LED发光装置简单易得，大大降低了芯片式红外LED发光装置的制造难度，促进了芯片式红外LED发光装置的广泛应用和推广。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的LED发光装置的结构示意图。

图1中：

LED芯片1、红外发光层2。

具体实施方式

本发明提供了一种新型的LED发光装置，其采用常见的能够发出紫外光和可见光的普通LED芯片(即紫外及可见光芯片)，以取代得到难度较大的红外半导体芯片，从而令芯片式红外LED发光装置能够更加容易的制得。