[发明专利]有机发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光器件，其包括：第一电极、两个或多个有机化合物层以及第二电极，其中，第一电极包括导电层和与该导电层接触的n型有机化合物层，在第一电极的n型有机化合物层和第二电极之间插置的有机化合物层之一为与第一电极的n型有机化合物层一起形成NP结的p型有机化合物层，这些层的能级满足下列表达式(1)和(2)，并且插置在p型有机化合物层和第二电极之间的一个或多个层为用碱土金属n型掺杂的：

0eV<E_nL-E_Fl≤4eV  (1)

E_pH-E_nL≤1eV  (2)

其中，E_Fl为第一电极的导电层的费米能级，E_nL为第一电极的n型有机化合物层的LUMO(最低空分子轨道)能级，以及E_pH为与第一电极的n型有机化合物层一起形成NP结的p型有机化合物层的HOMO(最高占有分子轨道)能级。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述用碱土金属n型掺杂的有机化合物层为电子注入层、电子传输层或电子注入和传输层。

3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述用碱土金属n型掺杂的有机化合物层与所述第二电极相接触。

4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述有机发光器件具有的结构为在基板上以从下往上的顺序依次层叠第一电极、有机化合物层和第二电极。

5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述有机发光器件具有的结构为在基板上以从下往上的顺序依次层叠第二电极、有机化合物层和第一电极。

6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述p型有机化合物层为空穴注入层、空穴传输层、或发光层。

7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其进一步包括至少一层插置在所述p型有机化合物层和用碱土金属n型掺杂的有机化合物层之间或者在用碱土金属n型掺杂的有机化合物层和所述第二电极之间的有机化合物层。

8.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一电极的n型有机化合物层由如下一种有机材料形成，所述有机材料选自：2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰醌二甲烷(F4TCNQ)、氟取代的3,4,9,10-二萘嵌苯四羧酸二酐(PTCDA)、氰基取代的PTCDA、萘四羧酸二酐(NTCDA)、氟取代的NTCDA、氰基取代的NTCDA和六腈六氮杂苯并菲(HAT)。

9.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一电极的导电层由如下的材料形成，所述材料选自金属、金属氧化物和导电聚合物。

10.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一电极的导电层和第二电极由相同的材料形成。

11.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述第一电极的导电层和第二电极中的至少一个包含透明材料。

12.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述n型有机化合物层的LUMO能级为约4～7eV，且电子迁移率为约10^-8cm²/Vs～1cm²/Vs。

13.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，所述碱土金属包括选自钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、镭(Ra)、铍(Be)和镁(Mg)中的一种或多种。

14.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中，在用碱土金属n型掺杂的有机化合物层中，掺杂浓度为0.02～50体积％。