[发明专利]硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造硅太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

制备掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；

在所述硅半导体基板的一个表面上形成发射极层，该发射极层具有重掺杂有第二导电杂质的第一发射极层以及轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反，并且所述第一发射极层位于所述第二发射极层上；

在所述第一发射极层上的上电极连接到所述第一发射极层的位置处形成刻蚀掩模图案，所述刻蚀掩模图案为网格形；

利用所述刻蚀掩模图案作为掩模，通过对所述发射极层的回蚀处理，形成选择性发射极层，其中，在所述发射极层的回蚀处理中，对不存在所述刻蚀掩模图案的所述第一发射极层进行刻蚀，而不对存在所述刻蚀掩模图案的第一发射极层进行刻蚀；

去除位于所述第一发射极层上的所述刻蚀掩模图案；

在所述选择性发射极层上形成防反射层；

在所述第一发射极层上印刷用于上电极的糊状物；

在所述硅半导体基板的下部上印刷用于下电极的糊状物；以及

对所述第一发射极层上的用于上电极的糊状物和用于下电极的糊状物进行热处理，以形成穿过所述防反射层连接到所述第一发射极层的上电极和连接到所述硅半导体基板的下部的下电极，

其中，所述第一发射极层的宽度被形成为比所述上电极的宽度宽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个上电极仅位于沿第一方向延伸的所述第一发射极层上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一发射极层包括沿与所述多个上电极平行的第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向延伸的多条线路。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一发射极层具有包括等于或大于固体溶解度的浓度的死层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一导电杂质是p型杂质，并且所述第二导电杂质是n型杂质。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成刻蚀掩模图案的步骤包括：使用玻璃粉糊在所述第一发射极层上进行丝网印刷处理，以形成所述刻蚀掩模图案。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成刻蚀掩模图案的步骤包括：使用焊接材料、玻璃上硅SOG、和硅石浆中的任意一种在所述第一发射极层上进行丝网印刷处理，以形成所述刻蚀掩模图案。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，进行回蚀处理的步骤使用包括体积比为10:0.1-0.01:1-3:5-10的HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂O的刻蚀剂。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，以0.08μm/sec至0.12μm/sec的刻蚀速度对所述发射极层的重掺杂区域进行刻蚀，并且以0.01μm/sec至0.03μm/sec的刻蚀速度对所述发射极层的轻掺杂区域进行刻蚀。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，进行回蚀处理的步骤使用碱性湿刻蚀或等离子体干刻蚀。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述发射极层进行了所述回蚀处理之后，经过回蚀的发射极层的表面电阻在50Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述发射极层进行了所述回蚀处理之后，所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二发射极层的表面电阻大于所述第一发射极层的表面电阻。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述刻蚀掩模图案之间的间隔在1mm至3mm的范围内。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述刻蚀掩模图案的宽度在50μm至200μm的范围内。