[发明专利]杂质扩散层形成组合物，n型、p型扩散层形成组合物、太阳能电池元件及它们的制造方法

权利要求书

1.一种杂质扩散层形成组合物，其含有：含施主元素或受主元素的玻璃粉末和分散介质，

所述玻璃粉末的含有比率为1质量％以上且90质量％以下的范围。

2.一种n型扩散层形成组合物，其含有：含施主元素的玻璃粉末和分散介质，

所述玻璃粉末的含有比率为1质量％以上且90质量％以下的范围。

3.根据权利要求2所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述施主元素为选自磷P及锑Sb中的至少1种。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述含施主元素的玻璃粉末含有：

选自P₂O₃、P₂O₅及Sb₂O₃中的至少1种的含施主元素物质，以及

选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO₂、及MoO₃中的至少1种玻璃成分物质。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的n型扩散层形成组合物，其中，还含有选自Ag、Si、Cu、Fe、Zn及Mn中的至少1种金属。

6.根据权利要求5所述的n型扩散层形成组合物，其中，所述金属为银Ag。

7.一种n型扩散层的制造方法，其具有：

在半导体基板上涂布权利要求2～6中任一项所述的n型扩散层形成组合物的工序；以及

实施热扩散处理的工序。

8.一种太阳能电池元件的制造方法，其具有：

在半导体基板上涂布权利要求2～6中任一项所述的n型扩散层形成组合物的工序；

实施热扩散处理而形成n型扩散层的工序；以及

在所形成的n型扩散层上形成电极的工序。

9.一种p型扩散层形成组合物，其含有：含受主元素的玻璃粉末和分散介质，

所述玻璃粉末的含有比率为1质量％以上且90质量％以下。

10.根据权利要求9所述的p型扩散层形成组合物，其中，所述受主元素为选自硼B、铝Al及镓Ga中的至少1种。

11.根据权利要求9或10所述的p型扩散层形成组合物，其中，所述含受主元素的玻璃粉末含有：选自B₂O₃、Al₂O₃及Ga₂O₃中的至少1种的含受主元素物质，以及选自SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、Tl₂O、SnO、ZrO₂、及MoO₃中的至少1种的玻璃成分物质。

12.一种p型扩散层的制造方法，其具有：

在半导体基板上涂布权利要求9～11中任一项所述的p型扩散层形成组合物的工序；以及

实施热扩散处理的工序。

13.一种太阳能电池元件的制造方法，其具有：

在半导体基板上涂布权利要求9～11中任一项所述的p型扩散层形成组合物的工序；

实施热扩散处理而形成p型扩散层的工序；以及

在所形成的p型扩散层上形成电极的工序。