[发明专利]可调光衰减器

说明书

本发明提供了一种可调光衰减器，包括：管座，所述管座包括底座和位于所述底座表面的基座；位于所述基座表面的芯片；贯穿所述底座并与所述基座电连接的驱动负极，所述驱动负极通过所述基座以及与所述基座电连接的导线或焊盘与所述芯片的负极相连；位于所述芯片下方的基座内部的驱动正极，所述驱动正极通过导线或焊盘与所述芯片的正极相连。由于驱动正极不再位于芯片的一侧，而是位于芯片下方的基座内部，因此，可以减小管座和基座的尺寸，进而可以减小可调光衰减器的尺寸，提高可调光衰减器的集成度。

技术领域

本发明涉及光纤通讯技术领域，更具体地说，涉及一种可调光衰减器。

背景技术

可调光衰减器(Variable Optical Attenuator，VOA)是光纤通信系统的重要器件之一，主要用来降低或控制光信号，实现不同通信信道之间的光功率均衡。现有的一种基于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)的可调光衰减器，由于具有响应速度快、功耗低和插入损耗小等优点，而被广泛应用在光纤通信系统中。

图1和图2分别为现有的基于MEMS的可调光衰减器的典型封装结构和贴装结构。如图1和2所示，该可调光衰减器包括输入光纤101、输出光纤102、MEMS芯片103、驱动正极104和驱动负极105，MEMS芯片103设置在底座106的基座1060上，所述底座106和基座1060构成可调光衰减器的管座，驱动负极105与该基座1060为一个电连通的整体，驱动正极104贯穿底座106和基座1060，并位于MEMS芯片103的一侧。此外，由于驱动负极105与基座1060之间是电连通的，因此，基座1060与驱动正极104之间需具有绝缘层107，以起到绝缘驱动正极104和驱动负极105的作用。

其中，由于MEMS芯片103的正极焊盘1030通过导线与驱动正极104相连，负极焊盘1031通过导线与驱动负极105即基座1060相连，因此，可以通过驱动正极104和驱动负极105向MEMS芯片103施加电压，使MEMS芯片103上的微镜发生旋转，改变输入光纤101和输出光纤102的光能量比例，实现光衰减的功能。

由于MEMS芯片103、驱动正极104和绝缘层107均位于基座1060的表面，因此，使得管座和可调光衰减器的外径尺寸较大，不利于可调光衰减器集成度的提高，因此，减小可调光衰减器的尺寸已经成为人们亟待解决的问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种可调光衰减器，以减小可调光衰减器的尺寸，提高可调光衰减器的集成度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种可调光衰减器，包括：

管座，所述管座包括底座和位于所述底座表面的基座；

位于所述基座表面的芯片；

贯穿所述底座并与所述基座电连接的驱动负极，所述驱动负极通过所述基座以及与所述基座电连接的导线或焊盘与所述芯片的负极相连；

位于所述芯片下方的基座内部的驱动正极，所述驱动正极通过导线或焊盘与所述芯片的正极相连。

优选的，所述芯片下方的基座具有凹槽，所述驱动正极位于所述凹槽内，并通过导线与所述芯片的正极相连。

优选的，所述凹槽内的驱动正极呈Z字形。

优选的，所述凹槽内的驱动正极的上表面与所述芯片的下表面平行。

优选的，所述凹槽内的驱动正极的上表面位于所述芯片的下表面的下方。

优选的，还包括：

位于所述芯片和所述基座之间的绝缘层，所述绝缘层具有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述基座内部的驱动正极相连，所述第二焊盘与位于所述绝缘层下方的基座相连。