[发明专利]波长转换煅烧体

权利要求书

1.一种波长转换煅烧体，其特征在于，其是一个主面为光的入射面，且与所述入射面相反侧的主面为光的出射面的板状体，

所述板状体由以下煅烧体构成，所述煅烧体是由含有活化剂的荧光性材料粒子和透光性材料粒子构成的气孔率为1.0%以下的煅烧体，

至少所述入射面和所述出射面是所述荧光性材料粒子和透光性材料粒子未经加工而露出的煅烧面，且4mm测定长度下的10点平均算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且0.5μm以下，

在所述煅烧面露出的荧光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra1为0.2nm以上且0.5nm以下，且在所述煅烧面露出的透光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra2为0.3nm以上且0.7nm以下，

所述荧光性材料为以通式A₃B₅O₁₂:Ce表示的物质，其中，A为选自Y、Gd、Tb、Yb和Lu中的至少1种，B为选自Al、Ga和Sc中的至少1种；所述透光性材料为Al₂O₃或在Al₂O₃中含有选自Sc₂O₃、Ga₂O₃中的1种的物质。

2.权利要求1的波长转换煅烧体，其特征在于，所述荧光性材料粒子的20个平均直径d1为0.5μm以上且5μm以下，且所述透光性材料粒子的20个平均直径d2为1μm以上且10μm以下，所述荧光性材料粒子所占的比例为22容积%以上且35容积%以下，且所述透光性材料粒子所占的比例为65容积%以上且78容积%以下。

3.权利要求2的波长转换煅烧体，其特征在于，所述荧光性材料粒子的20个平均直径d1为所述透光性材料粒子的20个平均直径d2的0.1倍以上且0.78倍以下。

4.权利要求1的波长转换煅烧体，其特征在于，在所述煅烧面露出的透光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra2为在所述煅烧面露出的荧光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra1的1.2倍以上且2.0倍以下。

5.权利要求3的波长转换煅烧体，其特征在于，在所述煅烧面露出的透光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra2为在所述煅烧面露出的荧光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra1的1.2倍以上且2.0倍以下。

6.一种波长转换煅烧体，其特征在于，具有：

由含有活化剂的YAG类荧光性材料和Al₂O₃构成的第1层，

在所述第1层上层压且由直径为20μm以上且300μm以下的粒子占所有粒子个数的90%以上的Al₂O₃构成的中间层，和

在所述中间层上层压且由含有所述第1层活化剂含量的10%以下的活化剂的YAG类材料和Al₂O₃构成的第2层；

具有在所述各层内将Al₂O₃粒子彼此连结，与此同时在各层界面也将Al₂O₃粒子彼此连结的连结结构，

并且，所述第1层、中间层和第2层均由气孔率为1.0%以下的煅烧体构成，所述第1层和第2层的表面为未经加工而露出的煅烧面且4mm测定长度下的10点平均算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且0.5μm以下，

在所述煅烧面露出的所述YAG类荧光性材料粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra1为0.2nm以上且0.5nm以下，且在所述煅烧面露出的Al₂O₃粒子的1μm测定长度下的20点平均算术平均粗糙度Ra2为0.3nm以上且0.7nm以下。