[发明专利]数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201510094570.6 | 申请日: | 2015-03-03 |
公开(公告)号: | CN104637834B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 张博 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/82;H01L27/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据线 合格 测试 方法 装置 阵列 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种数据线合格性测试方法和装置、阵列基板及其制作方法。
背景技术
在阵列基板的制作过程中,需要测试所形成的数据线的线阻是否合格。现有技术中的一种测试方法是,在制作阵列基板时,同时制作金属测试线,该金属测试线从数据驱动电路处引出经由面板中封框胶区域之外的边缘区域延伸到数据驱动电路的对端,通过测量在数据驱动电路对端的金属测试线末端的电压确定金属测试线的压降,进而可以模拟得到数据线的压降,判断数据线的线阻是否合格。由于环形公共电极图形设置在封框胶区域的下方,需要在公共电极图形远离数据驱动电路的弯角处设置开口,以使位于边缘区域的金属测试线能够在数据驱动电路对端处引入到像素区域。如图1所示为,为现有技术中的阵列基板制作方法所制作的阵列基板在形成封框胶之前在其中一个面板处的结构示意图,包括像素区域A-A、环绕在像素区域之外的环形公共电极图形1、形成在所述公共电极图形1之外的金属测试线2,所述公共电极图形1一个弯角处设置有开口,金属测试线2经过开口引入到像素区域A-A。
在对图1中的阵列基板使用封框胶进行时,需要对封框胶进行激光照射固化。在开口处,由于金属测试线反射率高于开口位置内的其他区域,且金属测试线的冷却速率不同于封框胶,导致金属测试线处的封框胶与不存在金属测试线处的封框胶的固化速度和冷却速度均不同,使得开口位置的封框胶产生裂纹,导致封装失效。另一方面,在完成封装之后,需要将阵列基板切割得到各个独立的面板。在进行切割时,位于公共电极图形1右侧的金属测试线2切割掉,这样会使得切割线下方的金属测试线暴露出来。在进行后续的信赖性测试时,暴露出来的金属测试线会发生电化学腐蚀,最终导致位于其上方的封框胶腐蚀,这样也会导致封装失效。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种新的测试方法,可以在不设置金属测试线的情况下完成对数据线的合格性测试,能够从根本上避免因设置金属测试线导致的封装失效的问题。
本发明提供了一种数据线合格性测试方法,包括:
根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;
获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定被测数据线不符合要求。
进一步的,所述第一预设数据电压与所述第二预设数据电压的大小相等。
进一步的,包括利用上述任一项所述的数据线合格性测试方法进行数据线合格性测试的步骤。
进一步的,在进行数据线合格性测试之前,所述方法还包括:
形成环绕像素区域的环形公共电极图形;所述环形公共电极图形在远离数据驱动电路的一侧的各个弯角处封闭,且形成所述环形公共电极图形时不在所述环形公共电极图形的外围形成金属线。
进一步的,所述形成环绕像素区域的环形公共电极图形包括:在形成所述阵列基板的数据线图形时,同层形成所述环形公共电极图形。
进一步的,所述在形成所述阵列基板的数据线图形时,同层形成所述环形公共电极图形包括:
沉积金属电极层;
对所述金属电极层进行一次图案化工艺形成数据线图形和环形公共电极图形。
进一步的,所述对所述金属电极层进行一次图案化工艺形成数据线图形和环形公共电极图形还包括:
在同一次图案化工艺中,刻蚀掉所述环形公共电极图形外围的金属电极层。
本发明还提供了一种数据线合格性测试装置,包括:
点亮模块,用于根据第一预设数据电压点亮距离数据驱动电路最近的第一像素,并根据第二预设数据电压点亮距离数据驱动电路最远的第二像素;所述第一像素和所述第二像素对应连接同一条被测数据线;
获取模块,用于获取所述第一像素的亮度和所述第二像素的亮度;
判断模块,用于判断所述第一像素的亮度与所述第二像素的亮度的实际亮度差是否大于预设亮度差;并在所述实际亮度差大于预设亮度差时,判定被测数据线不符合要求。
进一步的,所述第一预设电压与所述第二预设数据电压的大小相等。
本发明还提供了一种阵列基板,所述阵列基板由如上述任一项所述的阵列基板制作方法制作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造