[发明专利]多孔NiO/CeO2杂化纳米片阵列及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种多孔NiO/CeO₂杂化纳米片阵列，直接生长于泡沫镍表面，其特征在于，多孔NiO/CeO₂杂化纳米片的厚度约为10-25nm，纳米片上孔的直径为5-40 nm。

2.根据权利要求1所述的多孔NiO/CeO₂杂化纳米片阵列，其特征在于，多孔均匀分布在NiO/CeO₂杂化纳米片上。

3.一种如利要求1所述的多孔NiO/CeO₂杂化纳米片阵列的制备方法，其特征在于，其制备步骤如下：

（1）将泡沫镍置于3 mol/L的盐酸中超声清洗30分钟以除去泡沫镍表面的氧化层，随后分别用蒸馏水和无水乙醇交替清洗泡沫镍；

（2）将不同质量的硝酸铈、氟化铵和尿素共同溶于35 mL蒸馏水中，形成混合溶液并将其转移至高压釜中；

（3）将步骤（1）中获得的泡沫镍置于含有步骤（2）中所获得的混合溶液的高压釜中，密封后在90℃-140℃的烘箱中进行水热处理，获得NiO/CeO₂杂化纳米片阵列的前驱体；

（4）将NiO/CeO₂杂化纳米片阵列的前驱体在空气气氛中煅烧，煅烧温度500℃，保温时间为2小时。

4.根据权利要求3所述的多孔NiO/CeO₂杂化纳米片阵列的制备方法，其特征在于，在水热反应过程中，水溶液中的Ce³⁺与泡沫镍上形成的NiO的前驱体发生阳离子交换，从而形成杂化结构。

5.根据权利要求3所述的多孔NiO/CeO₂杂化纳米片阵列的的制备方法，其特征在于，硝酸铈浓度为5-50 mol/L，氟化铵浓度为10-100 mol/L，尿素浓度为25-250 mol/L。

6.一种权利要求1～5任意一项所述的NiO/CeO₂杂化纳米片阵列的用途，其特征在于，利用多孔NiO/CeO₂纳米片阵列的有序性、生物兼容性以及独特的电化学性能，可用作制备葡萄糖电化学生物传感器的基体材料。