[发明专利]一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法在审
| 申请号： | 201510096582.2 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104716024A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张锡健;张炳磊;宋爱民 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 薄膜 半导体 晶体管 电学 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，具体是指，在所述薄膜半导体晶体管表面覆盖一层有机层或无机层。
2.根据权利要求1所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述有机层为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚酰亚胺、光刻胶、环氧树脂、聚酯类、聚氨脂类或缩醛类。
3.根据权利要求1所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述无机层为SiO2或高K材料。
4.根据权利要求3所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述高K材料包括Ta2O5、HfO2、Y2O3、Si3N4、Al2O3、La2O3、TiO2。
5.根据权利要求2所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法还包括：对覆盖一层有机层的薄膜半导体晶体管进行烘干处理。
6.根据权利要求3所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法，其特征在于，所述提升薄膜半导体晶体管电学性能的方法还包括：对覆盖一层无机层的薄膜半导体晶体管进行退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学;，未经山东大学;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510096582.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法
- 下一篇：基板处理方法和基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
