[发明专利]电子零件及电子单元在审

专利信息
申请号: 201510096703.3 申请日: 2015-03-04
公开(公告)号: CN105322080A 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 八甫谷明彦;铃木大悟 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56;H01L33/50
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子零件 电子 单元
【说明书】:

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2014-156690号(申请日:2014年7月31日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种电子零件及电子单元。

背景技术

业界提出了一种赋予功能性分子接着剂并利用无电解镀敷形成导电性电路的成型电路零件的制造方法。

发明内容

期待电子零件及电子单元的可靠性的进一步提高。

本发明的目的在于提供一种能实现可靠性的进一步提高的电子零件及电子单元。

根据实施方式,电子零件包括:金属部;模具树脂,覆盖所述金属部的至少一部分;以及分子接着层,设置在所述金属部的表面与所述模具树脂之间。

附图说明

图1是第一实施方式的电子零件的立体图。

图2是图1中所示的电子零件的剖视图。

图3(a)~(d)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的整体的立体图。

图4(a)~(f)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图.

图5(g)-(k)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图。

图6(l)-(o)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图。

图7第一实施方式的电子零件的一变化例的剖视图。

图8是第二实施方式的电子单元的剖视图。

图9是示意性地表示分子接着层的组成的一例的图。

具体实施方式

以下,参照附图对实施方式进行说明。

在本说明书中,对若干个要素附加多个表达方式例。此外,这些表达方式例只不过是例示,并非否定所述要素可通过其他表达方式来表达。而且,关于未被附加多种表达方式的要素,也可以通过其他表达方式来表达。

而且,附图为示意图,有厚度与平面尺寸的关系或各层的厚度的比例等与实物不同的情况。而且,还有包含在附图相互之间彼此的尺寸关系或比例不同的部分的情况。

(第一实施方式)

图1及图2表示第一实施方式的电子零件1。电子零件1是“半导体零件”、“半导体封装”、“封装”、“电子单元”、“电子设备”、“电子系统”及“系统”的各一例。电子零件1例如为晶片级封装(晶片级CSP(WaferlevelChipSizePackage,晶片级芯片尺寸封装))的LED(LightEmittingDiode,发光二极管)芯片,但并不限定于此。本实施方式的构成还可以广泛应用于LED芯片以外的各种电子零件。

如图1及图2所示,电子零件1具有发光元件11、多个金属电极12a、12b、模具树脂13、荧光体层14及分子接着层15。发光元件11(半导体发光元件、发光层、发光部)为“半导体元件”、“主体部”、“零件主体”及“元件部”的各一例,例如为LED(LightEmittingDiode)。此外,可应用本实施方式的半导体元件、主体部或零件主体并不限定于发光元件,也可以是具有其他功能的元件。发光元件11在俯视下形成为大致矩形的薄膜状(薄板状)。

发光元件11例如包含发出蓝色光的InGaN层。详细来说,发光元件11例如具有第一包层21、第二包层22及活性层23。第一包层21、第二包层22及活性层23各自在俯视下形成为大致矩形的薄膜状。

第一包层21例如为n型半导体的层,例如具有接近电子零件1的大致全宽的宽度。第二包层22为p型半导体的层。第二包层22具有小于第一包层21的面积,并且设置在从第一包层21的中心偏移的位置。

活性层23例如具有与第二包层22大致相同的外形,且设置在第一包层21与第二包层22之间。当对第一包层21与第二包层22之间赋予电位差时,活性层23发射光。由此,发光元件11例如发射蓝色光。此外,发光元件11也可以发射蓝色光以外的光。而且,发光元件11还可以具有覆盖第二包层22的下表面的光反射层。

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