[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

第2导电型的第1半导体区域；

第1导电型的第2半导体区域，设置在所述第1半导体区域上；

第2导电型的第3半导体区域，设置在所述第2半导体区域上；

第1导电型的第5半导体区域，选择性地设置在所述第3半导体区域上；

栅极电极，隔着与所述第5半导体区域相接的第1绝缘区域而设置在所述第3半导体区域内，在与从所述第3半导体区域朝向所述第2半导体区域的第3方向正交的第1方向上，隔着所述第1绝缘区域而与所述第3半导体区域相邻的部分的长度比隔着所述第1绝缘区域而与所述第5半导体区域相邻的部分的长度长；以及

第2导电型的第4半导体区域，选择性地设置在所述第3半导体区域上，具有比所述第3半导体区域中的位于与所述第5半导体区域之间的部分的第2导电型的载流子密度高的第2导电型的载流子密度，且相对于所述第1绝缘区域的所述第1方向侧的端部设置在所述第1方向侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极电极包含：第1部分，在所述第1方向上，隔着所述第1绝缘区域而与所述第3半导体区域相邻的部分的长度比隔着所述第1绝缘区域而与所述第5半导体区域相邻的部分的长度长；以及第2部分，相对于所述第1部分位于所述第3方向侧；并且

所述第2部分沿所述第3方向延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第2部分在所述第1方向的长度比所述第1部分在所述第1方向的长度长。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述第1绝缘区域包含朝向所述栅极电极延伸的第1部分，并且

所述第1绝缘区域的所述第1部分的至少一部分位于所述栅极电极的所述第1部分与所述第2部分之间。

5.根据权利要求1的半导体装置，其特征在于：进而包括隔着第2绝缘区域而设置在所述第3半导体区域内的第1电极，并且

所述第3半导体区域以及所述第5半导体区域设置在所述栅极电极与所述第1电极之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述第1电极包括第1部分，在与所述第3半导体区域相邻的区域中，所述第1部分的所述第2半导体区域侧的所述第1方向的长度比所述第3半导体区域侧的所述第1方向的长度长。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述第1电极包括：第1部分，在所述第1方向上，隔着所述第2绝缘区域而与所述第3半导体区域相邻的部分的长度比隔着所述第2绝缘区域而与所述第5半导体区域相邻的部分的长度长；以及第2部分，相对于所述第1部分位于所述第1半导体区域侧；并且

所述第1电极的所述第2部分沿所述第3方向延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述第2绝缘区域包含朝向所述第1电极延伸的第1部分，并且

所述第2绝缘区域的所述第1部分的至少一部分位于所述第1电极的所述第1部分与所述第2部分之间。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：进而包括与所述第2绝缘区域相接且设置在所述第3半导体区域上的第1导电型的第6半导体区域。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述第6半导体区域的第1导电型的载流子密度比所述第3半导体区域的第2导电型的载流子密度高。

11.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述第1电极连接于接地电位。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第5半导体区域的第1导电型的载流子密度比所述第3半导体区域的第2导电型的载流子密度高。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第5半导体区域的第1导电型的载流子密度比所述第2半导体区域的第1导电型的载流子密度高。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于所述第1半导体区域的第2导电型的载流子密度比所述第2半导体区域的第1导电型的载流子密度高。