[发明专利]显影装置有效
申请号: | 201510097100.5 | 申请日: | 2015-03-05 |
公开(公告)号: | CN104898389B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 石田祐介 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G15/08 | 分类号: | G03G15/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 柳爱国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显影 装置 | ||
1.一种显影装置,包括:
显影容器,所述显影容器构造成容纳包括非磁性调色剂和磁性载体的显影剂;
显影套筒,所述显影套筒在其外表面上具有沿着与所述显影套筒的圆周方向交叉的方向分别形成的多个槽,并且构造成在所述外表面上承载显影剂时旋转;
显影剂管控构件,所述显影剂管控构件构造成管控由所述显影套筒承载的显影剂的量;以及
磁场产生部分,所述磁场产生部分布置在所述显影套筒的内侧并且包括多个固定的磁极,所述多个固定的磁极至少包括:第一极,所述第一极吸取所述显影容器中的显影剂并且在所述显影套筒的外表面上承载显影剂;和第二极,所述第二极布置成沿所述显影套筒的旋转方向在所述第一极的下游毗邻所述第一极、位于所述显影剂管控构件附近并且具有与第一极相反的极性,
其中,所述多个固定的磁极构造成形成Fr衰减区域和Fθ反向区域,在所述Fr衰减区域中,Fr从第一极侧朝向第二极侧衰减,在所述Fθ反向区域中,Fθ定向为朝向与所述显影套筒的旋转方向相反的方向,其中Fr是在朝向所述显影套筒的旋转中心的方向上的磁力,Fθ是在所述显影套筒的外表面的切线方向上的磁力,
其中,Fr衰减区域沿显影套筒的旋转方向布置在第一峰值位置下游并且在第二峰值位置的上游,在所述第一峰值位置,第一极的沿显影套筒的法向方向的磁通密度的值最大,在所述第二峰值位置,第二极的沿显影套筒的法向方向的磁通密度的值最大;Fθ反向区域沿显影套筒的旋转方向布置在所述第一峰值位置下游并且在所述第二峰值位置的上游;Fθ反向区域的至少一部分沿显影套筒的旋转方向与Fr衰减区域重叠;
其中,在所述第二峰值位置处的Fθ朝向显影套筒的旋转方向定向;以及
其中,所述显影套筒的所述多个槽中的相邻槽的中心之间的长度短于所述Fθ反向区域在所述显影套筒的旋转方向上的长度。
2.根据权利要求1所述的显影装置,其中,由连接所述第一峰值位置和所述显影套筒的旋转中心的直线以及连接所述第二峰值位置和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为A,由连接所述Fr衰减区域的两个端部和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为B,则满足0.12≤B/A<0.65。
3.根据权利要求1所述的显影装置,其中,由连接所述第一峰值位置和所述显影套筒的旋转中心的直线以及连接所述第二峰值位置和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为A,由连接所述Fθ反向区域的两个端部和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为C,则满足0.12≤C/A<0.40。
4.根据权利要求2所述的显影装置,其中,由连接所述Fθ反向区域的两个端部和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为C,则满足0.12≤C/A<0.40。
5.根据权利要求1所述的显影装置,其中,由连接所述Fθ反向区域的两个端部和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为C,由连接所述显影套筒的所述多个槽中的相邻槽的中心和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为D,则满足2.5≤C/D<5.0。
6.根据权利要求4所述的显影装置,其中,由连接所述显影套筒的所述多个槽中的相邻槽的中心和所述显影套筒的旋转中心的直线形成的角度为D,则满足2.5≤C/D<5.0。
7.根据权利要求1所述的显影装置,其中,所述多个槽中的每一个槽的深度都形成为等于或大于所述磁性载体中的颗粒的直径,并且所述多个槽中的每一个槽的宽度都形成为等于或大于所述磁性载体中的颗粒的直径。
8.根据权利要求1所述的显影装置,其中,Fr在沿所述显影套筒的旋转方向位于所述第一峰值位置的下游并且位于所述第二峰值位置上游的位置处的绝对值大于或等于1×10-8N并且小于或等于1.5×10-7N。
9.根据权利要求1所述的显影装置,其中,所述多个固定的磁极包括第三极,所述第三极与所述第一极相邻地布置在所述第一极沿显影套筒的旋转方向的上游的位置处并且具有与第一极相同的极性。
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