[发明专利]显影单元

权利要求书

1.一种显影单元，包括：

显影容器，所述显影容器构造成存储包括非磁性调色剂和磁性载体的显影剂；

圆柱形显影套筒，所述圆柱形显影套筒构造成在其正面上承载显影剂并且旋转；

显影剂管控构件，所述显影剂管控构件构造成管控在所述显影套筒上承载的显影剂的量；和

磁场产生部分，所述磁场产生部分构造成布置在所述显影套筒的内侧并且具有多个固定的磁极，所述多个固定的磁极产生磁场以在所述显影套筒上承载显影剂，其中

所述磁场产生部分至少包括吸取极和切割极，所述吸取极吸取所述显影容器中的显影剂并且在所述显影套筒上承载显影剂，所述切割极布置成在所述显影套筒的旋转方向的下游毗邻所述吸取极并且位于所述显影剂管控构件附近，当在朝向所述显影套筒的中心的方向上的磁力是Fr并且在所述显影套筒的正面的切线方向上的磁力是Fθ时，在峰值间区域中，所述磁场产生部分包括Fr平坦区域和Fr衰减区域中的至少一个，所述峰值间区域是从所述吸取极的磁通密度的峰值到所述切割极的磁通密度的峰值的区域，在所述Fr平坦区域中，Fr基本恒定，在所述Fr衰减区域中，Fr从吸取极侧朝向切割极侧衰减，并且在整个峰值间区域中Fθ定向为朝向与所述显影套筒的旋转方向相同的方向。

2.根据权利要求1所述的显影单元，其中

所述磁场产生部分构造成如下所述：其中，在半值区域中，Fθ定向为朝向与所述显影套筒的旋转方向相同的方向，所述半值区域中的磁通密度的绝对值大于所述吸取极的磁通密度的峰值的绝对值的一半。

3.根据权利要求1所述的显影单元，其中

所述磁场产生部分构造成如下所述：其中，相对于所述显影套筒的旋转方向，在从所述切割极的磁通密度的峰值位置到与感光构件相对的显影极的磁通密度的峰值位置的整个角度区域中，Fθ定向为朝向与所述显影套筒的旋转方向相同的方向。

4.根据权利要求1所述的显影单元，其中

当由所述峰值间区域形成的角度为A并且由所述Fr平坦区域或者所述Fr衰减区域形成的角度为B时，满足0.12≤B/A<0.65。

5.根据权利要求1所述的显影单元，其中

当每单位角度的Fr的增量为ΔFr时，所述Fr平坦区域满足ΔFr≤+5×10^-9(N)。

6.根据权利要求1所述的显影单元，其中

所述显影套筒具有多个槽，所述多个槽分别沿着与正面上的圆周方向交叉的方向形成。

7.一种显影单元，包括：

显影容器，所述显影容器构造成存储包括非磁性调色剂和磁性载体的显影剂；

圆柱形显影套筒，所述圆柱形显影套筒构造成在其正面上承载显影剂并且旋转；

显影剂管控构件，所述显影剂管控构件构造成管控在所述显影套筒上承载的显影剂的量；和

磁场产生部分，所述磁场产生部分构造成布置在所述显影套筒的内侧并且具有多个固定的磁极，所述多个固定的磁极产生磁场以在所述显影套筒上承载显影剂，其中

所述磁场产生部分至少包括吸取极和切割极，所述吸取极吸取所述显影容器中的显影剂并且在所述显影套筒上承载显影剂，所述切割极布置成在所述显影套筒的旋转方向的下游毗邻所述吸取极并且位于所述显影剂管控构件附近，当在朝向所述显影套筒的中心的方向上的磁力是Fr并且在所述显影套筒的正面的切线方向上的磁力是Fθ时，在峰值间区域中，所述磁场产生部分包括Fr平坦区域和Fr衰减区域中的至少一个，所述峰值间区域是从所述吸取极的磁通密度的峰值到所述切割极的磁通密度的峰值的区域，在所述Fr平坦区域中，Fr基本恒定，在所述Fr衰减区域中，Fr从吸取极侧朝向切割极侧衰减，并且在从所述吸取极的磁通密度的峰值位置到所述显影剂管控构件的远端与所述显影套筒相对的位置的整个区域中，Fθ定向为朝向与所述显影套筒的旋转方向相同的方向。

8.根据权利要求7所述的显影单元，其中

所述显影套筒在与感光构件相对的显影位置使得形成在所述感光构件的正面上的潜像显影；

其中所述磁场产生部分包括设置成与所述显影位置相对的显影极，并且所述磁场产生部分构造成如下所述：其中，相对于所述显影套筒的旋转方向，在从所述切割极的磁通密度的峰值位置到与感光构件相对的显影极的磁通密度的峰值位置的整个角度区域中，Fθ定向为朝向与所述显影套筒的旋转方向相同的方向。