[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510097522.2 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104638078B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 蒙成;吴俊毅;陶青山;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.发光二极管，包括：
发光外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；
透光性介电层，位于所述发光外延叠层的第二表面上，并直接与所述发光外延叠层接触，其内部具有导电通孔，所述透光性介电层中掺杂有受热可产生气体的发泡粒子；
透光性导电层，位于所述透光性介电层之远离发光外延叠层的一侧表面上；
金属反射层，位于所述透光性导电层之远离所述透光性介电层的一侧表面上；
所述透光性介电层的折射率均小于所述发光外延叠层、透光性导电层的折射率，所述发光外延叠层、透光性介电和透光性导电层构成一增强反射系统。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延叠层、透光性介电层、透光性导电层的折射率分别为r1、r2和r3，其关系为：r2<r3<r1。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延叠层的第二表面的粗糙度小于第一表面的粗糙度。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延叠层的第二表面为n型半导体层一侧表面。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发泡粒子选自CaCO3、BaCO3、Ca（HCO3）2、Na2CO3、NaHCO3中的一种或其组合。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发泡粒子分布在透光性介电性中靠近发光外延叠层的一侧。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性导电层具有粘附作用。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性导电层为采用溅射形成的ITO层。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性导电层的厚度为10~100埃。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透光性导电层以分子状态呈现，呈颗粒状分布在所述透光性介电层上。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延叠层的第一表面具有一系列蜂窝构造的粗化图案，所述蜂窝构造呈正六边形分布。
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