[发明专利]磁传感器以及电流传感器有效

专利信息
申请号: 201510097626.3 申请日: 2015-03-05
公开(公告)号: CN104730474B 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 钟小军 申请(专利权)人: 上海兴工微电子有限公司
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07;G01R19/00
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;董琳
地址: 201204 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传感器 以及 电流传感器
【权利要求书】:

1.一种磁传感器,包括半导体衬底,其特征在于,进一步包括设置于半导体衬底表面的四个以上的磁敏元件,每个磁敏元件的表面各自设置一对偏置电极和一对采样电极,所述偏置电极用于在磁敏元件上引入一偏置电流,各个磁敏元件上的偏置电流方向依次呈360/n度角,n为磁敏元件的数量;所述采样电极用于采样由所述偏置电流和一环境磁场共同作用而产生的一霍尔电压,且各个磁敏元件的采样电极之间相互独立,用于单独输出未经处理的霍尔电压。

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,所述每个磁敏元件上的偏置电极和采样电极可以互换使用。

3.根据权利要求2所述的磁传感器,其特征在于,各个磁敏元件均为正方形,所述偏置电极位于磁敏元件的两个对角上,所述采样电极位于另外两个对角上。

4.一种电流传感器,包括一衬底以及设置在衬底上的一权利要求1所述磁传感器,其特征在于,所述衬底中包括一段弧形导线,当所述弧形导线中通过电流时,所述弧形导线能够在圆弧的中心处形成一耦合磁场的增强区域,所述磁传感器设置于所述增强区域。

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