[发明专利]一种硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法

权利要求书

1.一种硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，包括：

砷层形成步骤：在硅衬底的上表面上采用砷束流进行表面钝化，以在所述硅衬底的上表面上形成砷层；

碲化锌缓冲层形成步骤：在所述砷层的上方通过碲束流外延单个碲层，在所述单个碲层的上表面上通过锌束流外延单个锌层，以形成第1个周期层，其中，周期层包括单个碲层和设置于所述单个碲层上表面上的单个锌层，在所述第1个周期层的上表面上顺次叠置n-1个周期层，以形成包括n个周期层的碲化锌缓冲层，n为正整数。

2.根据权利要求1所述的硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，所述碲化锌缓冲层形成步骤中：通过碲束流在所述砷层的上表面上钝化形成钝化碲层，在所述钝化碲层的上表面上外延所述单个碲层。

3.根据权利要求1所述的硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，所述碲化锌缓冲层形成步骤中，顺次叠置29个周期层-119个周期层。

4.根据权利要求1所述的硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，所述外延工艺的外延温度为270℃-320℃，所述外延工艺中外延所述单个碲层和所述单个锌层的外延时间均为5s-20s。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，所述方法，还包括：所述碲化锌缓冲层形成步骤之后，在碲束流的保护下，对所述碲化锌缓冲层进行退火处理。

6.根据权利要求5所述的硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为350℃-400℃，退火处理的退火时间为5min-30min。

7.根据权利要求1所述的硅基碲化锌缓冲层分子束外延工艺方法，其特征在于，所述方法，还包括：在所述砷层形成步骤之前，对所述硅衬底进行高温脱氧步骤：在高真空条件下，将硅衬底加热至800℃-850℃，保温10min，以使所述硅衬底的表面达到原子级洁净。