[发明专利]用于电化学法制备多孔硅的双槽装置及制备多孔硅的方法

权利要求书

1.用于电化学法制备多孔硅的双槽装置，其特征在于：包括外槽体(1)、内槽体(2)、下层垫圈、上层垫圈(4)、槽体螺栓(5)、螺母(6)和垫圈螺栓(7)；

所述外槽体(1)为顶部开口的中空容器；在外槽体(1)的腔体底面上设有4个以上的槽体螺栓(5)；所述槽体螺栓(5)均与外槽体(1)的腔体底面竖直连接，且在每个槽体螺栓(5)的中部均设有环形的限位块；

所述下层垫圈为圆板状，且有2个，其中1个下层垫圈上设有下层垫圈腐蚀窗口，称为有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)，另1个下层垫圈上不设置下层垫圈腐蚀窗口，称为无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)；

在每个下层垫圈的边缘设有与槽体螺栓(5)相对应的下层垫圈侧槽体螺栓定位孔；在每个下层垫圈的顶面的边缘设有4个以上的垫圈螺栓(7)；所述垫圈螺栓(7)均与下层垫圈的顶面竖直连接；在每个下层垫圈的边缘设有1个以上的腰形孔；

所述上层垫圈(4)呈圆板状；在上层垫圈(4)的中部设有1个以上的上层垫圈腐蚀窗口；

在上层垫圈(4)的边缘设有与槽体螺栓(5)相对应的上层垫圈侧槽体螺栓定位孔，在上层垫圈(4)的边缘还设有与垫圈螺栓(7)相对应的上层垫圈侧垫圈螺栓定位孔；在上层垫圈(4)的边缘设有1个以上的腰形孔；

所述内槽体(2)为上下开口的筒状体；在内槽体(2)的底部设有水平向外延伸的底边；所述底边与槽体螺栓(5)的数量相同，且在内槽体(2)的每个底边上均开有一个与槽体螺栓(5)相对应的内槽体侧槽体螺栓定位孔；

用本双槽装置制作SOI硅片上的多孔硅层时，将上层垫圈(4)套在无下垫圈层腐蚀窗口的下层垫圈(32)的垫圈螺栓(7)上，通过旋紧垫圈螺栓(7)顶部的螺母(6)，将上层垫圈(4)和无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)连接在一起；将连接在一起的无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)和上层垫圈(4)套在槽体螺栓(5)的环形限位块上；再将内槽体(2)套在槽体螺栓(5)上，并旋紧槽体螺栓(5)顶部的螺母(6)，从而将内槽体(2)、上层垫圈(4)、无下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(32)与外槽体(1)连接在一起；

用本双槽装置制作非SOI硅片上的多孔硅层时，将上层垫圈(4)套在有下垫圈层腐蚀窗口的下层垫圈(31)的垫圈螺栓(7)上，通过旋紧垫圈螺栓(7)顶部的螺母(6)，将上层垫圈(4)和有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)连接在一起；将连接在一起的有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)和上层垫圈(4)套在槽体螺栓(5)的环形限位块上；再将内槽体(2)套在槽体螺栓(5)上，并旋紧槽体螺栓(5)顶部的螺母(6)，从而将内槽体(2)、上层垫圈(4)、有下层垫圈腐蚀窗口下层垫圈(31)与外槽体(1)连接在一起。

2.根据权利要求1所述的用于电化学法制备多孔硅的双槽装置，其特征在于：

在外槽体(1)的腔体底面上均布有4个槽体螺栓(5)；

在无下层垫圈腐蚀窗口的下层垫圈(32)的边缘设有2个腰形孔；在无下层垫圈腐蚀窗口的下层垫圈(32)的顶面均布有4个垫圈螺栓(7)；

在上层垫圈(4)内设有1个上层垫圈腐蚀窗口，所述上层垫圈腐蚀窗口呈圆形；在上层垫圈腐蚀窗口内设有1个方框(41)，通过呈长条形的上层垫圈连接臂(42)将方框(41)的一对外壁与相邻的上层垫圈腐蚀窗口的内壁连接在一起；在上层垫圈(4)的边缘设有2个腰形孔；

所述内槽体(2)为中空且上下开口的矩形体；在内槽体(2)的每个侧壁的底部分别设有1个水平向外延伸的底边；在每个底边上均开有1个与槽体螺栓(5)相对应的内槽体侧槽体螺栓定位孔；

无下层垫圈腐蚀窗口的下层垫圈(32)、上层垫圈(4)和内槽体(2)的材质均为聚四氟乙烯。