[发明专利]一种读头传感器

权利要求书

1.一种读头传感器，包括：

下屏蔽；

上屏蔽，设置在所述下屏蔽上方；以及

传感器叠层，设置在所述下屏蔽和所述上屏蔽之间，其中所述传感器叠层包括：

钉扎磁层；

间隔层，设置在所述钉扎磁层之上；

自由磁层，设置在所述间隔层之上；以及

双包覆层，设置在所述自由磁层上，所述双包覆层包括设置在非磁层上的磁层；以及

侧屏蔽，设置在所述下屏蔽之上和所述上屏蔽下方的传感器叠层附近。

2.如权利要求1所述的读头传感器，其中，所述双包覆层中的磁层包括NiFe、CoFe或NiCoFe。

3.如权利要求1所述的读头传感器，其中，所述非磁层是Ta。

4.如权利要求1所述的读头传感器，其中，所述非磁层的厚度小于1纳米。

5.如权利要求1所述的读头传感器，其中，所述上屏蔽进一步包括：

底部磁层，所述底部磁层包括第一磁层和设置在所述第一磁层上的第二磁层；

第一非磁层，设置在所述底部磁层上；

顶部磁层，设置在所述第一非磁层上，所述顶部磁层包括三层磁性膜叠层；以及

反铁磁层，设置在所述顶部磁层上。

6.如权利要求5所述的读头传感器，其中，所述底部磁层中的第一和第二磁层选自NiFe、CoFe或NiCoFe中的至少一种。

7.如权利要求5所述的读头传感器，其中，所述第一磁层是CoFe并且所述第二磁层是NiFe。

8.如权利要求5所述的读头传感器，其中，所述顶部磁层中的三层磁性膜叠层包括被夹在CoFe层之间的NiFe层。

9.如权利要求8所述的读头传感器，进一步包括与所述侧屏蔽耦合的线圈结构。

10.如权利要求1所述的读头传感器，进一步包括与所述侧屏蔽耦合的线圈结构。

11.一种读头传感器，包括：

下屏蔽；

上屏蔽，设置在所述下屏蔽上方，其中所述上屏蔽包括：

底部磁层，所述底部磁层包括第一磁层和设置在所述第一磁层上的第二磁层；

第一非磁层，设置在所述底部磁层上；

顶部磁层，设置在所述第一非磁层上，所述顶部磁层包括三层磁性膜叠层；以及

反铁磁层，设置在所述顶部磁层上；

传感器叠层，设置在所述下屏蔽和所述上屏蔽之间；以及

侧屏蔽，设置在所述下屏蔽之上和所述上屏蔽下方的传感器叠层附近。

12.如权利要求11所述的读头传感器，其中，所述底部磁层中的第一和第二磁层选自NiFe、CoFe或NiCoFe中的至少一种。

13.如权利要求11所述的读头传感器，其中，所述第一磁层是CoFe、而所述第二磁层是NiFe。

14.如权利要求11所述的读头传感器，其中，所述顶部磁层中的三层磁性膜叠层包括被夹在CoFe层之间的NiFe层。

15.如权利要求11所述的读头传感器，其中，所述传感器叠层进一步包括：

钉扎磁层；

间隔层，设置在所述钉扎磁层之上；

自由磁层，设置在所述间隔层之上；以及

双包覆层，设置在所述自由磁层上，所述双包覆层包括设置在非磁层上的磁层。

16.如权利要求15所述的读头传感器，其中，所述双包覆层中的磁层包括NiFe、CoFe或NiCoFe。

17.如权利要求15所述的读头传感器，其中，所述非磁层是Ta。

18.如权利要求15所述的读头传感器，其中，所述非磁层厚度小于1纳米。

19.一种读头传感器，包括：

下屏蔽；

上屏蔽，设置在所述下屏蔽上方；

传感器叠层，设置在所述下屏蔽和所述上屏蔽之间；以及

侧屏蔽，设置在所述下屏蔽之上和所述上屏蔽下方的传感器叠层附近；以及

线圈结构，被设置为与所述侧屏蔽耦合。

20.如权利要求19所述的读头传感器，其中，所述传感器叠层进一步包括：

钉扎磁层；

间隔层，设置在所述钉扎磁层之上；

自由磁层，设置在所述间隔层之上；以及

双包覆层，设置在所述自由磁层上，所述双包覆层包括设置在Ta层上的NiFe层。