[发明专利]气压式温度传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种气压式温度传感器的制作方法，该方法包括：

在工作气体(4)的气氛中，将红外吸收热敏层(3)通过键合封环(2)键合于压力传感器(1)的表面，以形成由所述红外吸收热敏层(3)、所述压力传感器(1)、以及所述键合封环(2)围合而成的第一空腔(4a)，并且该第一空腔中密封有所述工作气体(4)；

形成至少位于所述红外吸收热敏层(3)上方的密封的第二空腔(10)，所述第二空腔(10)的底部至少包括所述红外吸收热敏层(3)，所述第二空腔(10)的侧壁包括介质层图形结构的一部分，所述第二空腔(10)的顶部包括介质层图形结构的另一部分、以及红外滤光片(9)，所述红外滤光片(9)与所述第一空腔(4a)的位置对应。

2.如权利要求1所述的气压式温度传感器的制作方法，其中，所述介质层图形结构包括第一层介质层图形结构(6)和第二层介质层图形结构(11)，形成所述第二空腔(10)的方法包括：

形成覆盖所述红外吸收热敏层(3)的牺牲层图形(5)；

形成覆盖所述牺牲层图形(5)的第一层介质层图形结构(6)，所述第一层介质层图形结构(6)具有第一凹槽(7)以及第二凹槽(8)，其中，所述第一凹槽(7)使所述牺牲层图形(5)的边缘露出，所述第二凹槽(8)与所述第一空腔(4a)的位置对应；

形成覆盖所述第二凹槽(8)且露出所述第一凹槽(7)的红外滤光片(9)；

经由所述第一凹槽(7)释放所述牺牲层图形(5)，形成空腔(10a)；

形成填充所述第一凹槽(7)且露出所述红外滤光片(9)的第二层介质层图形结构(11)，以使所述空腔(10a)密封，形成密封的第二空腔(10)。

3.如权利要求2所述的气压式温度传感器的制作方法，其中，

所述第二凹槽(8)的尺寸不小于所述第一空腔(4a)的尺寸。

4.如权利要求1所述的气压式温度传感器的制作方法，其中，

所述第二空腔(10)内为真空。

5.如权利要求1所述的气压式温度传感器的制作方法，其中，

所述压力传感器(1)是差压式压力传感器或绝压式压力传感器。

6.如权利要求1所述的气压式温度传感器的制作方法，其中，

所述工作气体(4)是氢气、氮气、和/或稀有气体。

7.如权利要求2所述的气压式温度传感器的制作方法，其中，

所述第一凹槽(7)的数量为至少一个。

8.一种气压式温度传感器，包括，

压力传感器(1)；

红外吸收热敏层(3)，其通过键合封环(2)键合于压力传感器(1)的表面，以形成由所述红外吸收热敏层(3)、所述压力传感器(1)、以及所述键合封环(2)围合而成的第一空腔(4a)，并且该第一空腔中密封有工作气体(4)；

密封的第二空腔(10)，其至少形成于所述红外吸收热敏层(3)的上方，所述第二空腔的底部至少包括所述红外吸收热敏层(3)，所述第二空腔(10)的侧壁包括介质层图形结构的一部分，所述第二空腔(10)的顶部包括介质层图形结构的另一部分、以及红外滤光片(9)，所述红外滤光片(9)与所述第一空腔(4a)的位置对应。

9.如权利要求8所述的气压式温度传感器，其中，

所述第二空腔(10)内为真空。

10.如权利要求8所述的气压式温度传感器，其中，

所述压力传感器(1)是差压式压力传感器或绝压式压力传感器。