[发明专利]不对称深度微沟槽电极及应用其放电加工微弯孔的方法有效

专利信息
申请号: 201510100665.4 申请日: 2015-03-06
公开(公告)号: CN104741711B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 谢晋;司贤海;鲁艳军;吴鸿沛;徐伟胜;王小乾 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: B23H1/04 分类号: B23H1/04;B23H9/14
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司44245 代理人: 罗观祥,江间开
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 不对称深度微沟槽电极及应用其放电加工微弯孔的方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种弯曲孔加工技术,特别是涉及一种气中微放电的空间弯曲微孔加工和电极制造方法,该加工方法属于电火花加工领域。

技术背景

电火花加工技术具有操作简单,加工成本低,最小加工孔径可达数微米的优点,所以应用领域较广。但是,传统的电火花加工技术仅能加工直孔,无法满足高附加值零部件中的空间弯曲路径微孔加工。空间弯曲孔加工技术一直是制造技术中的一个重要的技术问题,很多机械零部件都需要弯曲孔的结构,尤其是铸造模具(特别是一模多腔)弯弯曲曲的结构需要设计冷却水道孔随模具型腔绕弯进行冷却,提高铸造质量;由于这些冷却水道孔在三维空间内发生弯曲,用现在的制造技术很难加工出符合要求的空间弯曲微孔。因此为了提高机械加工工艺,一般不允许设计弯曲孔结构,但由于有的零部件必须设计弯曲孔结构来提高性能,因此现在一般做法是采用几段直孔拟合成曲线来代替弯曲孔,但这种方法很难满足要求高的生产性能,有时还会发生泄漏等严重现象并且制造成本也高。因此为了满足现在工业生产制造的空间弯曲微孔的需求,需要一种操作简单,生产成本低,可以普及的空间弯曲孔加工方法,来提高零部件的制造质量。

在弯曲孔加工方面,由于电火花加工具有以柔克刚的特点成为现在弯曲孔加工常用方法。现在应用电火花加工弯曲孔方面的研究主要集中在日本,但他们大多数研究的是如何对电极端头进行智能控制,使得电极端头可以按要求进行弯曲从而加工出弯曲孔。由于电火花加工环境的特殊性和放电电极的尺寸小等特点,使得通过智能控制电极端头加工出弯曲微孔的加工方法成本高,设备复杂。

发明内容

本发明的目的在于克服现有弯曲孔加工成本高,设备复杂的缺点,提供一种不对称深度微沟槽电极及应用其放电加工微弯孔的方法,可以简单地实现弯曲微孔加工。

本发明可通过如下技术方案实现:

一种不对称深度微沟槽电极,在圆柱形的电极整个圆周上沿轴向布有V形的微沟槽,微沟槽在整个圆周上呈左右对称,上下为不对称分布,微沟槽的深度呈上下逐渐变深趋势,其中最上面微沟槽为第一微沟槽,第一微沟槽的深度h1最浅,从上到下左右对称地为第二微沟槽到第n微沟槽,微沟槽的沟槽深度变化规律为:hn=h(n-1)+D/m,其中h(n-1)为电极表面第n‐1条微沟槽的深度,hn为第n条微沟槽的深度,n的取值范围为1<n<30,D为电极的外径,m是一个正实数,取值范围为50<m<80;电极的中心设有通气孔,通气孔的直径为0.1~2.5毫米;所述微沟槽的表面涂有绝缘涂层。

优选地,所述微沟槽的V形结构两侧面的夹角为45~60度。

所述第一微沟槽的深度h1为0.01毫米。

所述电极的材料为紫铜。

所述微沟槽的深度为10~300微米。

所述绝缘涂层的厚度为0.006~0.01毫米,绝缘涂层的材料为芳基聚酰亚胺。

应用所述不对称深度微沟槽电极放电加工微弯孔的方法:电极连接脉冲电源的负极,工件连接脉冲电源的正极,脉冲电源的电压为20~300V,电流为0.5~50A,脉冲电源频率20~1000Hz;电极中的通气孔通入脉冲气流,频率与脉冲电源频率相同。

优选地,脉冲电压与脉冲气体的频率都为20~1000Hz,占空比30~70%。

电极侧面上的微沟槽由于有助于气体的排出,从而提高了放电加工效率并且可以加工出更大深径比的微深孔。在进行气中微放电加工时,由于不同深度的微沟槽对微放电的影响不同,深度大的微沟槽由于更加有助于排气和排屑,这使得更加有利于产生电火花放电,材料去除速率也明显提高,从而使在电极不同深度微槽的地方材料去除速率不同;这种不对称的放电去除效率使得微电极朝着更深的微槽圆柱面方向偏移,从而加工出微弯曲孔。

本发明与现有技术相比具有如下优点:

(1)使用不对称微槽结构电极进行弯孔微放电加工,不需要复杂的机构和控制模块,只需要在传统电极上加工出为沟槽,从而降低了加工成本;

(2)电极侧面上的微槽由于有助于排气和排屑,从而提高材料去除速率,从而降低加工成本,并且可以加工出更大深径比的微深孔。

附图说明

图1为本发明的不对称微槽结构电极的加工示意图。

图2为不对称微沟槽电极的三维示意图。

图3为图2不对称微槽结构电极的横截面示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510100665.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top