[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201510100814.7 | 申请日: | 2010-11-04 |
公开(公告)号: | CN105047571A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 福原和矢;吉富清敬;池上武彦;川副祐二朗 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
分案申请说明
本申请是于2010年11月4日提交的、申请号为201010536912.2、名称为“半导体器件及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。具体而言,本发明涉及一种可有效地应用于减少其中多个接线电耦合到同一个引线的半导体器件的成本的技术。
背景技术
作为其中多个键合接线电耦合到同一个引线的半导体器件的示例,在公开号为2007-165368的日本待审专利(专利文献1)中公开了一种结构,其中半导体芯片的三个电极焊盘和一个内引线通过三个键合接线耦合在一起。
发明内容
作为功率型半导体器件的示例,已知一种安装在用于光盘的电机驱动器上的半导体器件。在针对增加电机旋转速度的速度倍增竞争的当前情形中,重要的是让半导体器件减少主轴电机的输出接通电阻。
可以通过加粗金接线以减少电阻值来满足这一要求。但是可优选的是为了减少成本而保持除了需要粗金线的部分之外的部分的直径为小。在讨论的半导体器件情况下至少电机驱动器中的功率晶体管部分需要粗金接线。其它控制部分无需使用金接线。
在这样的半导体器件中,为了电流分流而将多个金接线耦合到用于电源或者GND的引线,该引线承担大电流流动于其中。用于过电流保护的感测接线也耦合到引线,并且它与用于电源或者GND的金接线相邻设置。也就是说,多个金接线耦合到用于电源或者GND的同一个引线,这些金接线之一是感测接线。
感测接线对接线本身的电压降进行感测,因而如果它与相同引线中的另一金接线接触,则电压降的数量将改变,因此造成失去感测功能。因此为了防止出现接线短接,使用相同粗度的金接线作为耦合到相同引线的金接线,从而感测接线在树脂模制步骤中注入密封树脂时偏转与用于电源或者GND的金接线相同的程度。
因此,由于使用与用于电源或者GND的金接线相同粗度的金接线作为感测接线,所以存在成本增加的问题。
在专利文献1(公开号为2007-165368的日本待审专利)中描述的技术也涉及一种结构,其中多个键合接线电耦合到同一个内引线。然而键合接线有相同粗度,因此不可能减少有关半导体器件的成本。
已经鉴于上文提到的问题而实现本发明,并且本发明的目的在于提供一种能够减少半导体器件成本的技术。
本发明的另一目的在于提供一种能够提高半导体器件可靠性的技术。
本发明的又一目的在于提供一种能够在用于制造具有多个不同类型的接线的半导体器件的方法中按照受抑制的单品生产时间(tact)下降率获得接线键合条件的技术。
根据下文描述和附图,本发明的上述和其它目的以及新颖特征将变得清楚。
下文是对这里公开的发明之中的典型发明的简述。
根据本发明一个典型模式的一种半导体器件包括:半导体芯片,具有多个电极焊盘;多个引线,布置于半导体芯片周围;多个键合接线,用于将电极焊盘与引线相互电耦合;以及树脂密封体,用于密封半导体芯片、键合接线和引线的部分,引线包括用于向半导体芯片供应第一操作电势的第一功率引线,电极焊盘包括:第一电源电极焊盘,通过第一键合接线电耦合到第一功率引线;以及第一监视电极焊盘,通过第二键合接线电耦合到第一功率引线以监视第一功率引线的电势,并且第二键合接线比第一键合接线更细。
根据本发明另一典型模式的一种半导体器件包括以下步骤:提供引线框,该引线框具有芯片安装区域和布置于芯片安装区域周围的多个引线;将具有多个电极焊盘的半导体芯片安装于引线框的芯片安装区域之上;通过多个键合接线将引线与半导体芯片的电极焊盘相互电耦合;并且形成树脂密封体以密封半导体芯片、键合接线和引线的部分,键合接线包括:第一键合接线,在其一个端部耦合到电极焊盘之中的第一电极焊盘而在其相反端部耦合到引线之中的第一引线;以及第二键合接线,在其一个端部耦合到电极焊盘之中的第二电极焊盘而在其相反端部耦合到第一引线,并且比第一键合接线更细,并且迟于第一键合接线形成第二键合接线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造