[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

半导体衬底，具有第一面、及与所述第一面对向的第二面；

第一导电型的第一半导体层，设置在所述半导体衬底的所述第一面侧；

第二导电型的第二半导体层，设置在所述第一半导体层的所述第二面侧；

第一导电型的第三半导体层，设置在所述第二半导体层的所述第二面侧；

多个栅极层，设置在所述半导体衬底内部，在第一方向延伸，在与所述第一方向正交的第二方向上并列配置，所述第一面侧的端部比所述第三半导体层靠近所述第一面侧；

多个第二导电型的第一半导体区域，设置在所述多个栅极层中的相邻的第一栅极层与第二栅极层之间的所述第三半导体层；

栅极绝缘膜，设置在所述第一栅极层与所述第二半导体层、所述第三半导体层、及所述第一半导体区域之间，与除所述第一半导体区域外的区域之间的膜厚是厚于与所述第一半导体区域之间的膜厚；

发射电极，电连接在所述第一半导体区域；以及

集电极，电连接在所述第一半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：与在所述第一方向上相邻的所述第一半导体区域之间的所述栅极绝缘膜的膜厚是厚于与所述第一半导体区域之间的所述栅极绝缘膜的膜厚。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第一导电型的第二半导体区域，所述第一导电型的第二半导体区域设置于在所述第一方向上相邻的所述第一半导体区域之间；并且与所述发射电极电连接，与所述第二半导体区域之间的所述栅极绝缘膜的膜厚是厚于与所述第一半导体区域之间的所述栅极绝缘膜的膜厚。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：在所述第一栅极层与所述第二半导体区域之间的所述栅极绝缘膜中，膜厚较厚的区域与膜厚较薄的区域沿所述第一方向重复。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一栅极层、与所述第二及所述第三半导体层之间的所述栅极绝缘膜的膜厚是在所述第二半导体区域的所述第一面侧厚于所述第一半导体区域的所述第一面侧。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括：第一导电型的第四半导体层，所述第一导电型的第四半导体层设置在所述多个栅极层中的一个的第三栅极层与所述第一栅极层或所述第二栅极层之间，且与所述发射电极绝缘。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一导电型为p型，所述第二导电型为n型。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体衬底为单晶硅。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一栅极层及所述第二栅极层为掺杂着杂质的多晶硅。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极绝缘膜为氧化硅膜。

11.一种半导体装置，其特征在于包括：

半导体衬底，具有第一面、及与所述第一面对向的第二面；

栅极层，设置在所述半导体衬底内部；

通道区域，设置在所述半导体衬底；

栅极绝缘膜，设置在所述栅极层与所述半导体衬底之间，与除所述通道区域外的区域之间的膜厚是厚于与所述通道区域之间的膜厚；

发射电极，设置在所述半导体衬底的所述第二面侧；以及

集电极，设置在所述半导体衬底的所述第一面侧。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：所述第一导电型为p型，所述第二导电型为n型。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体衬底为单晶硅。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极层为掺杂着杂质的多晶硅。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极绝缘膜为氧化硅膜。