[发明专利]一种集成电路陶瓷基片材料及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路陶瓷基片材料，其特征在于所述的集成电路陶瓷基片材料由以下成分按照重量比组成：

2.根据权利要求1所述的一种集成电路陶瓷基片材料，其特征在于所述的集成电路陶瓷基片材料由以下成分按照重量比组成：

3.一种集成电路陶瓷基片材料的制备方法，其特征在于所述的集成电路陶瓷基片材料的制备方法包括以下步骤：

(1)分别按重量取三氧化二铝15-40份、莫来石8-18份、碳化硅5-12份、氧化铍3-7份、氧化钙6-13份、碳化锆3-7份、氧化镁4-10份、氮化钽2-5份；将上述的成分混合后进行球磨，球磨机转速为100rpm-200rpm，球磨时间为3h-6h；

(2)球磨后将步骤(1)的粉末材料进行冷压制成型，压制成型压力为120MPa-150MPa，压制时间为2h；

(3)将压制成型后的粉末材料进行梯度温度烧结，将步骤(2)压制成型后的陶瓷材料投入高温烧结炉中，首先将高温烧结炉温度升高为800-830℃，在该温度下烧结3h；再将高温烧结炉温度升高至950-1000℃，在该温度下烧结3h；最后再将高温烧结炉温度升高为1050-1100℃，在该温度下烧结3h；冷却，为制备的集成电路陶瓷基片材料。

4.根据权利要求3所述的一种集成电路陶瓷基片材料的制备方法，其特征在于所述的集成电路陶瓷基片材料的制备方法中球磨机转速为150rpm，球磨时间为4h。

5.根据权利要求3所述的一种集成电路陶瓷基片材料的制备方法，其特征在于所述的集成电路陶瓷基片材料的制备方法中压制成型压力为140MPa。

6.根据权利要求3所述的一种集成电路陶瓷基片材料的制备方法，其特征在于所述的集成电路陶瓷基片材料的制备方法中首先将高温烧结炉温度升高为810℃，再将高温烧结炉温度升高至980℃，在该温度下烧结3h；最后再将高温烧结炉温度升高为1080℃。